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有多種方法可以測(cè)量中壓功率電壓，其中一些方法包括霍爾效應(yīng)傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯形網(wǎng)絡(luò)。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無限的帶寬。在實(shí)際情況下，為了限制預(yù)計(jì)會(huì)引起RC時(shí)間...
碳(C)是一種重要的元素。我們是以碳為基礎(chǔ)的生命形式。二氧化碳(CO2)的氣體濃度，與氧氣結(jié)合，是我們用來衡量對(duì)全球變暖貢獻(xiàn)的指標(biāo)。以固態(tài)形式存在時(shí)，純碳可以像石墨一樣柔軟，也可以像鉆石一樣堅(jiān)硬。
光電耦合器是一種常見的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的主要功能是實(shí)現(xiàn)電氣隔離，同時(shí)進(jìn)行信號(hào)傳輸。
碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變電力電子的格局，帶來了諸如更高效率、更高功率密度和更好的熱性能等優(yōu)點(diǎn)。尤其是在汽車應(yīng)用中，SiC技術(shù)顯著受益，主要用于主推進(jìn)、車載充電器和電池充電站。
你是否曾在基于碳化硅 (SiC) 的逆變器上測(cè)得超過100%的效率，并認(rèn)為自己發(fā)現(xiàn)了一種通過逆變器創(chuàng)造能量的方法?更可能的情況是
電容式觸摸技術(shù)因其靈敏度高、響應(yīng)速度快、耐用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、車載系統(tǒng)等設(shè)備中。
單片機(jī)之所以能夠靈活地控制和監(jiān)測(cè)外部設(shè)備，關(guān)鍵在于其集成的輸入/輸出(Input/Output, IO)接口電路。
你可能不知道8位單片機(jī)(MCU)已經(jīng)存在了近40年，在這個(gè)技術(shù)迅速發(fā)展的時(shí)代，任何電子設(shè)備似乎在進(jìn)入市場(chǎng)后不久就會(huì)變得過時(shí)，但是8位單片機(jī)至今卻一直活躍在市場(chǎng)
半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對(duì)于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢(shì)而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域，選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對(duì)效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。
根據(jù)記憶體類型的不同，車規(guī)MCU記憶體可以分為多種類型，包括ROM、EEPROM、Flash，以及SRAM等。
它們具有非常簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);電感器是唯一的磁性部件，通常是一個(gè)恒頻連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)電感器。GaN FET對(duì)PFC整流器性能的影響可以直接展示出來。
隨著對(duì)越來越小、功耗更低的電子設(shè)備需求的增長，低功耗芯片設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)基本角色。人工智能在嵌入式系統(tǒng)中的日益普及，正挑戰(zhàn)著低功耗芯片設(shè)計(jì)師們?nèi)ト谌敫呙芏取⒏邉?chuàng)新性的架構(gòu)和制造工藝。
IGBT功率模塊在功率密度和壽命方面面臨著挑戰(zhàn)。本文將介紹一種通過轉(zhuǎn)模技術(shù)提升最新IGBT功率模塊功率密度和壽命的方法，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
氮化鎵 (GaN) 是一種寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體材料，與硅或碳化硅相比，具有優(yōu)越的電性能和效率。
功率二極管是一種非線性無源電子元件，由兩個(gè)端子組成：陽極和陰極。它使電流只在一個(gè)方向上通過，而在另一個(gè)方向上完全阻斷
在電動(dòng)汽車、可再生能源發(fā)電、車對(duì)車通信以及儲(chǔ)能等電力應(yīng)用中，雙向開關(guān)特別有用。這些開關(guān)能夠高效地控制雙向能量流動(dòng)，確保在各種工作條件下的可靠和安全運(yùn)行。
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種在各種功率電子應(yīng)用中最成功的寬禁帶材料。它們較高的禁帶寬度使其在關(guān)鍵電場(chǎng)方面相比硅(Si)提高了10倍以上。
電動(dòng)汽車的性能、可靠性和安全性仍有改進(jìn)的空間，汽車行業(yè)依然在積極追求這些改進(jìn)。雖然電池和電機(jī)技術(shù)備受關(guān)注，但牽引逆變器的創(chuàng)新也同樣重要。
知識(shí)專欄