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目前，關于氫作為交通燃料的炒作正達到狂熱的程度，政府、汽車制造商和石油公司正投入數億美元，以使氫能源汽車概念更具吸引力。
然而，高效地控制這些高壓系統可能非常具有挑戰性。這篇文章介紹一款用于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的可編程柵極驅動器提供了一些改進。
這些設備配備了高功耗的CPU和GPU，需要功率范圍在300瓦到500瓦的電源模塊(PSU)。由于空間和厚度的限制，這種PSU的設計本質上是困難的，需要高功率密度。
在大多數離散PLC系統中，故障排除輸出設備的過程相當簡單。如果輸出端子工作正常，那么在‘關閉’時應測量到0V，在‘開啟’時應測量到全源電壓。
本文將描述硅摻雜對高溫下散裝GaN熱導率的影響，并以實驗證據證明理論處理的有效性。
GaN晶體管憑借其優異的性能和廣泛的應用前景，在電子技術領域逐漸成為了工程師們關注的焦點。那么，GaN晶體管是否能像MOSFET(場效應晶體管)一樣易于使用呢?
基于硅半導體的電子設備對于現代世界至關重要。它們在設計用于中等溫度(最高可達250C或482F)的系統時表現良好。但是，一旦溫度升高到300C(572F)以上，基于硅的電子設備無法長時間運行。
氮化鎵(GaN)器件在功率轉換器中具有多種優勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關能力。橫向GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)功率器件在這些應用中市場增長強勁。
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)放大器因其高效率、低功耗和良好的線性特性而被廣泛應用于各種電子設備中。這篇文章將詳細介紹MOSFET放大器的工作原理
碳化硅在許多電力轉換應用中比硅表現出顯著的性能優勢。進一步的成本降低和大規模生產是滿足全球電氣化帶來的對電力半導體強勁需求的關鍵。在本文中，我們將詳細討論工程化SiC基板的潛在優勢。
碳化硅(SiC)技術作為一種新興的功率半導體材料，以其高效能、高耐壓和高頻率的特性，正在迅速成為電動汽車充電解決方案中的重要一環。本文將詳細探討SiC在電動汽車充電中的優勢
業界首款采用TOLL封裝的4毫歐硅碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)。這一成果標志著在標準分立封裝的650V至750V功率器件中實現了最低的導通電阻
直流電動機驅動器有多種類型，主要分為硅控整流器(SCR)和脈寬調制(PWM)驅動器兩類。
CMOS芯片也叫做互補金屬氧化物半導體，在現代電子設備中扮演著關鍵角色。它不僅僅是許多設備的核心組件之一，也是技術進步的象征。
在傳統意義上，硅功率器件如IGBT或MOSFET通過焊接固定在金屬陶瓷基板上，使用鋁線鍵合作為互連接技術，并使用焊膏或導熱脂將功率模塊連接到底板或散熱器
智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中，我們將重點介紹業界首款基于GaN的IPM，目標應用包括家用電器和供暖、通風和空調(HVAC)系統。
第七代1200 V QDual3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊，無需增加額外的熱量或設計修改即可提供高達10%的功率提升。
從功能角度看，電機控制包括多個層級。例如，運動控制需要執行非常復雜且計算密集的控制算法。電機控制涵蓋了廣泛的應用范圍，從簡單的風扇和泵控制到復雜的工業控制問題，包括機器人和伺服機制。
知識專欄