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知識專欄

使用高度集成的半橋GaN IC的400瓦LLC轉換器

作者: 浮思特科技2024-06-18 14:19:50

  便攜工作站是高性能筆記本電腦,允許專業人員運行如照片和視頻編輯、游戲、3D渲染、CAD/CAM任務等應用。這些設備配備了高功耗的CPU和GPU,需要功率范圍在300瓦到500瓦的電源模塊(PSU)。由于空間和厚度的限制,這種PSU的設計本質上是困難的,需要高功率密度。其他具有類似功率需求的應用還包括寬屏OLED電視,以及將主要計算機組件(CPU、顯示器和揚聲器)集成到一個流線型單元中的臺式機。

  在2024年2月的APEC會議上,Navitas Semiconductor展示了一款采用LLC拓撲結構的轉換器原型,將400V DC轉換為24V DC。該轉換器模塊的厚度僅為8毫米,具有顯著的功率密度(21.5 kW/L)。峰值效率為98.1%,而滿載效率(400W)達到97.4%。

  400瓦轉換器拓撲

  此類設備(如Apple的Studio Display內部)的400瓦PSU通常由兩級組成。功率因數校正(PFC)升壓電路將來自電源的交流電壓轉換為380V DC。第二級是隔離的LLC DC/DC轉換器,采用半橋配置,產生20V和24V的穩定電壓。實現這種功率轉換器的典型電路如圖1所示。

GaN

圖1

  為了在效率和EMI發射之間取得良好的平衡,PFC升壓電路以65kHz的開關頻率運行。相反,LLC諧振轉換器由于減少了開關損耗,可以在接近150kHz的頻率下開關。

  GaN是正確的技術

  GaN晶體管的商業可用性使得提高功率轉換器的開關速度成為可能。因此,平面變壓器可以很容易地集成到PCB上,從而顯著減小磁性元件的尺寸。還可以將諧振電感器集成到變壓器中,在小型化方面進一步提升。平面變壓器和平面電感器采用扁平、分層結構設計,而不是傳統的繞線線圈結構。

  通過使用Navitas的專有GaNFast半橋IC和GaNSense,建造高效率和高密度的LLC轉換器變得更加容易。這些組件包括兩個GaN FET和驅動器,以及控制、電平移位、啟動高側開關的引導電源、檢測和保護,封裝在一個低調的、熱增強的6 × 8毫米QFN封裝中。圖2詳細介紹了封裝引腳分布和散熱墊。

GaN

圖2

  高側I/O引腳包括高側IC電源引腳,低側I/O引腳包括PWM輸入、dV/dt啟用控制和電流檢測輸出。通過適當的高電壓爬電距離,將帶有I/O引腳的低側源墊與帶有I/O引腳的高側源墊分開。GaN晶體管產生的熱量通過QFN封裝底部的源散熱墊傳導到PCB。然后使用大的PCB銅箔區域和熱通孔將熱量傳導到PCB的另一側和/或更多具有大銅箔層的層,從而將熱量分散出去。

  諧振LLC轉換器的運行

  從圖1中可以看出,LLC部分由一個半橋、諧振罐電路、變壓器和整流器網絡組成,后者采用同步整流(SR)FET而不是二極管,以提高效率和驅動性能。半橋的兩個開關以50%的占空比開啟(實際上允許一個死區時間以避免任何穿通風險);因此,諧振罐輸入處產生方波,諧振罐作為濾波器以生成基波頻率的正弦波。然后,正弦波通過高頻變壓器傳輸到次級側,該變壓器將電壓降下。最后,SR將正弦波轉換為穩定的DC輸出。LLC轉化器的效率通過諧振罐的軟開關能力和減少開關損耗來實現。

  圖3描繪了由諧振電容器Cr、諧振電感器Lr、磁化電感Lm和交流等效負載RAC組成的諧振罐的原理圖。LLC轉換器具有寬泛的工作范圍和高效率,歸功于兩個諧振頻率:fr1 = 1 ÷ [2p√(LrCr)] 和 fr2 = 1 ÷ [2p√(Lr + Lm)Cr],且fr1 > fr2。當頻率f > fr1時,負載諧振罐的輸入阻抗為感性,而當f < fr2時,輸入阻抗為容性。在頻率區域fr2 < f < fr1時,阻抗可以是感性的或容性的,取決于負載電阻R。LLC諧振轉換器通常在諧振罐的輸入阻抗為感性的區域內工作;即,阻抗隨頻率增加而增加。這意味著可以通過改變轉換器的工作頻率來控制功率流動,從而減小負載的功率需求導致頻率升高,而增加的功率需求導致頻率降低。

GaN

圖3

  磁性設計

  矩陣變壓器是基于PCB的平面變壓器的一個好解決方案。矩陣變壓器由多個較小的“元件”組成,這些元件在矩陣中互連。具有小橫截面的元件產生低調變壓器,可以處理高功率。小元件還更高效地散熱并更容易散熱。“矩陣變壓器”這個名字來源于其最初的配置,具有行和列。一個有四列三行的矩陣變壓器可以提供4:3的有效匝數比。

  用于諧振LLC設計的矩陣變壓器的等效磁阻模型相當復雜,但相對直接的方程允許計算Lr(等于集成磁性結構的漏感)和Lm。此外,可以獲得一種改進版的矩陣變壓器,與傳統的矩陣變壓器相比,磁芯板的磁通密度降低。在改進的排列中,磁芯板的磁通密度分布在整個板上,因此變得更低。因此,磁芯損耗大大減少,同時板的厚度變得更小。

  測試時鐘頻率為500kHz、輸出功率為400瓦的轉換器模塊具有高度集成性,因為它包含一個半橋NV6247 IC以及Cr、輸出SR和輸出電容器,因此只需要一個PWM信號和電源即可運行。最小爬電距離為7毫米,即使在實際使用中也能確保安全。該電源轉換器還可以在自然對流下提供300瓦的功率。模塊尺寸為62.5 × 37.2 × 8毫米,其功率密度達到21.5kW/L(0.35kW/in3)。

浮思特科技專注功率器件領域,為客戶提供IGBTIPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片,是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。