借助最新的Field Stop 7(FS7)IGBT技術，第七代1200 V QDual3絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊，無需增加額外的熱量或設計修改即可提供高達10%的功率提升。這些模塊專為高要求應用而設計，非常適合用于太陽能農場的中心逆變器、能源存儲系統(ESS)、商業農業車輛和工業電機驅動。

　　什么是IGBT?

　　IGBT是一種用于在各種應用中切換和放大電力的半導體器件。它們結合了mosfet(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極結型晶體管)的優點，為高電壓和大電流應用提供高效和快速的開關能力。

　　IGBT的主要優點包括處理高電壓和大電流、快速開關速度、低導通損耗以及高輸入阻抗的電壓控制操作。這些特性使其適用于需要高效和精確電力控制的電力電子應用。

　　更多功率，相同占用面積

　　可再生能源的日益普及需要解決方案來管理峰值需求并確保連續的電力供應。削峰——在高峰時段減少電力使用——對于維持電網穩定性和降低成本至關重要。在這方面，onsemi的QDual3模塊使制造商能夠在相同占地面積內構建產生更多電力的太陽能和ESS系統，提高了能源管理和儲存效率。這一能力通過將多余的電力存儲在ESS中，確保盡管太陽能發電具有間歇性，但仍能平滑地將太陽能集成到電網中，確?？煽康哪茉戳鲃?。

　　公用事業規模的太陽能光伏農場特別具有優勢，因為它們的效率高、可擴展性強，并且啟動和發電成本低于化石燃料電廠。即使增加了能源存儲，太陽能發電仍然具有成本效益。QDual3模塊在并聯時，可以顯著增加輸出功率高達數兆瓦。與傳統的600 A模塊相比，800 A QDual3模塊減少了所需模塊的數量，簡化了設計并降低了系統成本。提供了兩種變體，NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG，以滿足不同的應用需求。

　　最新技術

　　QDual3 IGBT采用800 A半橋配置，集成了最新的第七代溝槽Field Stop IGBT和二極管，同時onsemi的先進封裝技術減少了開關和導通損耗。FS7技術實現了芯片尺寸減少30%，允許每個模塊包含更多的芯片，提高了功率密度，以支持800 A或更高的電流容量。QDual3模塊在175°C時的IGBT VCE(sat)低至1.65 V，并且低Eoff，使能量損失和散熱比最好的替代方案低10%。

　　這些模塊符合嚴格的汽車標準，表明它們在苛刻條件下的堅固性和可靠性。它們被設計為在太陽能農場的中心逆變器、電池儲能系統、商業農業車輛和工業電機驅動中高效運行。其增強的功率密度和降低的能量損失有助于提高效率并降低運營成本。

　　“基礎的半導體技術本身就是一個巨大的差異化因素，”onsemi工業電力部門產品營銷總監Ajay Sattu在接受EEPower采訪時表示?！耙驗槲覀儗嶋H上已經將我們的可靠性延長了幾乎兩倍于要求的程度。”

　　對可再生能源的影響

　　QDual3模塊在可再生能源應用中尤為重要，特別是太陽能發電和能源存儲。這些模塊通過在相同系統尺寸內實現更高的功率輸出，促進了更高效的能源生產和存儲。這對于太陽能農場來說至關重要，因為最大化功率輸出和管理能源存儲對運營效率和成本效益至關重要。

　　此外，這些模塊有助于解決太陽能能量間歇性的問題。通過將多余的電力存儲在電池儲能系統中，它們確保了持續的電力供應，這對于電網的穩定性和可靠性至關重要。模塊的并聯能力以實現更高的輸出功率，進一步增強了其在大規模可再生能源項目中的適用性。

　　第七代QDual3 IGBT模塊的功率密度、效率和系統復雜性降低的提高，代表了在可再生能源應用電力電子領域的顯著進步。其在苛刻條件下的堅固設計和高性能使其成為各種高功率應用的理想選擇，推動高效和可持續能源解決方案的未來。

浮思特科技專注功率器件領域，為客戶提供igbt、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。