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這兩種技術的主要區別特征是帶隙(或能隙)，以電子伏特(eV)為單位，SiC和GaN的帶隙分別為3.2 eV和3.4 eV，是主流硅材料的三倍。
倒變降-升壓電路產生的負電壓的幅度可能高于或低于可用的正電壓。例如，可以從 +12 V 生成 -8 V 或甚至 -14 V。
盡管GaN功率晶體管相對較新，但設計的“經驗法則”已經建立并證明能夠滿足快速上市的目標。多年來，成功設計的七個步驟逐漸形成并得到驗證，并通過持續更新的文檔和客戶培訓得到了支持。
盡管最初存在所有技術障礙，SiC MOSFET 已在市場上確立了自己作為 IGBT 和 Si MOSFET 的高性能替代品的地位。
最初的 DC/DC 轉換解決方案均為低噪聲線性設計，使用簡單，但有兩個主要缺點。首先，輸出電壓必須始終低于輸入電壓;然而，線性穩壓器效率極低，會將很大一部分供電以熱量的形式耗散。
在消費類和通用工業應用中，為小型交流電動機設計逆變器的設計師面臨著日益嚴峻的效率、可靠性、尺寸和成本限制。傳統上，許多小型逆變器設計采用分立功率器件封裝以及實現接口
長期以來，由于水將掃描超聲換能器與IGBT模塊耦合，IGBT模塊無法通過聲學系統進行檢測。模塊制造商擔心，水蒸發后留下的微小殘留物可能會在高功率水平下形成泄漏路徑。
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)是一種顛覆性的功率晶體管，于 20 世紀 80 年代初首次實現商業化，對電力電子行業產生了巨大的積極影響，實現了創新的轉換器設計、提高了系統效率并節省了全球能源。
太陽能光伏(PV)電池將陽光轉換為電能，在充足陽光下大約可以產生1瓦特的電力。光伏模塊由互聯的電池組成，其輸出特性通過I-V曲線表示。開路電壓、短路電流和最大功率點等參數對于系統設計至關重要
650V汽車合格裸片IGBT旨在滿足正在開發先進汽車牽引逆變器解決方案的功率模塊制造商的需求。
電源轉換器必須采用更小的被動元件。逐漸從純硅轉向越來越多地使用高頻硅碳化物(SiC)MOSFET，在高壓脈沖電源電路中，使得空間需求得以壓縮，成本降低，效率提高，性能增強。
MCU芯片能夠獨立完成特定的控制任務，因此被廣泛應用于各種智能設備中。與其他處理器相比，MCU芯片具有低功耗、低成本和小型化的特點，這使得其成為眾多應用的理想選擇，那么，mcu芯片主要用于哪些產品呢?
電容式觸摸IC芯片憑借其卓越的性能和廣泛的應用前景，正在迅速成為行業的熱門選擇。本文將深入探討電容式觸摸IC芯片的工作原理、優勢及其應用領域，幫助讀者更好地理解這一關鍵技術。
傳統硅MOSFET和IGBT的性能已接近材料的理論極限，進一步的發展只能帶來微小的改善，進展緩慢且成本高昂。氮化鎵晶體管顯著提升了功率轉換效率，并且具有體積小、可靠性高等附加優勢。
氮化鎵已成為快速變化的半導體技術領域的革命性力量，在效率、功率密度和性能方面提供無與倫比的優勢。GaN技術有可能徹底改變各個行業，包括消費電子、汽車、物聯網和電信。
采用可再生能源對于解決氣候變化帶來的復雜問題至關重要，而家用太陽能在促進這一轉變方面發揮著重要作用。
本文探討了保護電子和電氣設備免受損害的不同方法，包括傳統熔斷器、創新的電子復位熔斷器
單片機(Microcontroller)作為嵌入式系統的核心組件，越來越廣泛地應用于各類智能設備中。從家用電器到工業自動化，單片機無處不在。那么，單片機的組成結構是什么?它又是如何工作的呢?
知識專欄