氮化鎵已成為快速變化的半導體技術領域的革命性力量，在效率、功率密度和性能方面提供無與倫比的優勢。GaN技術有可能徹底改變各個行業，包括消費電子、汽車、物聯網和電信。

　　GlobalFoundries最近收購Tagore Technologies ，以及先鋒國際半導體公司(VIS)啟動的 GaN-on-QST(Qromis 襯底技術)項目為可擴展性開辟了道路，是 GaN 制造領域的重要里程碑。這些發展標志著這種寬帶隙 (WBG) 材料取得了實質性進展，并具有積極的未來前景。

　　GaN技術的興起

　　GaN 是一種具有獨特性質的半導體材料，非常適合高性能應用。與傳統硅相比，GaN 器件可以在更高的電壓、頻率和溫度下工作。這些功能對于日益增長的高效功率轉換和射頻 (RF) 應用需求至關重要，特別是在電信、電動汽車和可再生能源等領域。

　　隨著全球對能源效率的追求日益加強，GaN 技術因其能夠顯著降低電力電子系統中的能量損耗而受到廣泛關注。從硅到 GaN 的轉變不僅僅是一種趨勢，它代表著向更可持續、更高效的技術的根本轉變。

　　GlobalFoundries 收購 Tagore Technologies

　　作為增強其 GaN 能力的戰略舉措，全球領先的半導體制造商之一 GlobalFoundries 宣布收購 Tagore Technologies。Tagore Technologies 成立于 2011 年 1 月，以其用于功率控制和射頻應用的尖端 GaN 基器件而聞名，這些器件包括 GaN-on-Si、GaN-on-SIC 和砷化鎵。

　　Tagore Technologies 與 GlobalFoundries 的合作有望通過結合Tagore Technologies在 GaN 設計和制造方面的專業知識與 GlobalFoundries 強大的生產能力，加快下一代 GaN 設備的開發和實施。此次合作不僅將提高電力電子的效率和生產力，還將擴大 GaN 技術在電動汽車、可再生能源和電信等領域的應用。

　　通過利用WBG功能的優勢，這些技術大大降低了廣泛應用的復雜性、尺寸和功耗，包括5G基礎設施、消費電子產品、汽車系統以及國防和公共安全應用。

　　QST 襯底由多晶 AlN 陶瓷芯材料和設計結構組成，為高產出 GaN 器件提供了一個可擴展且高效的平臺。這種可擴展性也適用于生產 GaN 器件所用晶圓的尺寸。它允許制造 200 毫米晶圓，并將很快包括 300 毫米晶圓。這些晶圓可用于各種應用，范圍從 100 V 到 2,000 V 甚至更高。

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