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更廣泛的采用取決于進一步降低成本和批量生產，以滿足全球電氣化程度不斷提高對功率半導體的強勁預測需求。在本文中，我們將討論 工程 SiC 襯底的潛在優勢。
在供給側的可再生能源電力轉換應用(例如太陽能逆變器)和需求側的交通電氣化，都是使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)功率半導體取得優勢的例子功率轉換效率和功率密度。
碳化硅 (SiC) 器件具有更高的電子遷移率、更低的損耗以及在更高溫度下工作的能力，因此在具有挑戰性的功率應用中得到了廣泛接受。
中國科學院上海微系統與信息技術研究所的歐欣團隊與瑞士洛桑聯邦理工學院的Tobias Kippenberg團隊合作，成功開發出一種新型的「光學硅」芯片，即鉭酸鋰集成光芯片，共同揭開了光芯片技術的新篇章。
碳化硅(SiC)MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)是一種基于碳化硅材料的功率半導體器件，它結合了MOSFET的優點和SiC材料的特性
IPM模塊是一種集成電路，它集成了IGBT晶體管與驅動電路，并且常常整合了失效保護功能和系統控制接口。
半橋和全橋驅動芯片作為市場上兩種主流的解決方案，它們各自擁有獨特的特點和適用場合。今天浮思特將深入探討半橋驅動芯片與全橋驅動芯片的本質區別
硅基半導體材料的傳統極限逐漸顯現，而碳化硅(SiC)作為一種新型寬禁帶半導體材料，正以其卓越的性能在電力電子領域掀起一場革命。今天浮思特將帶您深入了解SiC芯片和模塊的特點
中國大陸積極推進國有企業和自主品牌的國產化任務，目標是到2025年實現芯片國產化率達到25%，并在2027年實現全面自主生產。尤其是新能源車領域，車用IC首當其沖面臨挑戰。
功率mosfet(功率金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為現代電子電路中至關重要的元件，廣泛應用于電源管理、開關電路和放大器等領域。
在物聯網(IoT)和便攜式電子設備的浪潮中，低功耗微控制器單元(MCU)芯片已成為推動技術革新的關鍵因素。這些芯片以其卓越的能效比，為智能手表、健康監測器、智能家居設備等提供了持久的電池壽命和高效的數...
二極管作為基礎的半導體器件，其性能直接影響到整個電路的效率和穩定性。近年來，隨著新材料技術的突破，碳化硅(SiC)二極管因其卓越的性能逐漸受到業界的關注。這篇文章將對比分析碳化硅二極管與傳統肖特基二極...
在現代電子技術領域，PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管作為一種重要的半導體器件，其工作原理和應用廣泛受到工程師和技術人員的關注。本文將深入探討PMOS...
場效應管(MOSFET)放大電路是現代電子設備中的關鍵組件之一。它們以其高輸入阻抗和低噪聲特性，廣泛應用于各種電子電路中。
在這場變革的前沿，新型汽車級光伏MOSFET驅動器以其卓越的性能和效率，正成為推動電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)發展的關鍵技術。浮思特將深入探討這一創新技術
SemiQ是一家專門為高效高壓應用設計、開發和提供碳化硅 (SiC) 解決方案的公司，已啟動了已知良好芯片 (KGD) 篩選計劃。
本文將討論IGBT的優點和應用價值，包括其低開關損耗、高效率、高可靠性、電壓控制能力等，以及其在電力電子、工業自動化和新能源中的應用。
高功率和高開關頻率的結合對于移動應用非常重要。只有通過高開關頻率才能顯著減小電感和電容元件的尺寸。
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