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根據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》的最新消息，華為即將推出的昇騰910C處理器展現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場(chǎng)潛力。與當(dāng)前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中最強(qiáng)的NVIDIA H20產(chǎn)品相比，昇騰910C的性能有望實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。

高效GaN設(shè)計(jì)的七個(gè)步驟

盡管GaN功率晶體管相對(duì)較新，但設(shè)計(jì)的“經(jīng)驗(yàn)法則”已經(jīng)建立并證明能夠滿足快速上市的目標(biāo)。多年來(lái)，成功設(shè)計(jì)的七個(gè)步驟逐漸形成并得到驗(yàn)證，并通過(guò)持續(xù)更新的文檔和客戶培訓(xùn)得到了支持。

SiC MOSFET 突破電力電子的界限

盡管最初存在所有技術(shù)障礙，SiC MOSFET 已在市場(chǎng)上確立了自己作為 IGBT 和 Si MOSFET 的高性能替代品的地位。

低功耗 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的精密設(shè)計(jì)

最初的 DC/DC 轉(zhuǎn)換解決方案均為低噪聲線性設(shè)計(jì)，使用簡(jiǎn)單，但有兩個(gè)主要缺點(diǎn)。首先，輸出電壓必須始終低于輸入電壓;然而，線性穩(wěn)壓器效率極低，會(huì)將很大一部分供電以熱量的形式耗散。

英飛凌宣布推出CIPOS? Maxi智能功率模塊(IPM)系列，適用于高達(dá)4 kW的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

新的IM12BxxxC1系列采用了先進(jìn)的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二極管EmCon 7技術(shù)。

智能功率模塊概念用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器

在消費(fèi)類和通用工業(yè)應(yīng)用中，為小型交流電動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)逆變器的設(shè)計(jì)師面臨著日益嚴(yán)峻的效率、可靠性、尺寸和成本限制。傳統(tǒng)上，許多小型逆變器設(shè)計(jì)采用分立功率器件封裝以及實(shí)現(xiàn)接口

IGBT模塊的自動(dòng)化聲學(xué)檢測(cè)

長(zhǎng)期以來(lái)，由于水將掃描超聲換能器與IGBT模塊耦合，IGBT模塊無(wú)法通過(guò)聲學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)。模塊制造商擔(dān)心，水蒸發(fā)后留下的微小殘留物可能會(huì)在高功率水平下形成泄漏路徑。

SiC MOSFET 現(xiàn)狀，器件演進(jìn)、技術(shù)優(yōu)勢(shì)介紹

絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)是一種顛覆性的功率晶體管，于 20 世紀(jì) 80 年代初首次實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，對(duì)電力電子行業(yè)產(chǎn)生了巨大的積極影響，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)、提高了系統(tǒng)效率并節(jié)省了全球能源。

蘋果(iPhone)手機(jī)印度制造遇阻：質(zhì)量問(wèn)題引發(fā)市場(chǎng)擔(dān)憂

蘋果公司在印度組裝的低端機(jī)型總價(jià)值約為140億美元，占其全球產(chǎn)量的14%，然而，高端型號(hào)依然選擇在中國(guó)進(jìn)行組裝

詳解光伏模塊的性能特點(diǎn)

太陽(yáng)能光伏(PV)電池將陽(yáng)光轉(zhuǎn)換為電能，在充足陽(yáng)光下大約可以產(chǎn)生1瓦特的電力。光伏模塊由互聯(lián)的電池組成，其輸出特性通過(guò)I-V曲線表示。開(kāi)路電壓、短路電流和最大功率點(diǎn)等參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要

汽車合格裸片IGBT的單片電流和溫度傳感

650V汽車合格裸片IGBT旨在滿足正在開(kāi)發(fā)先進(jìn)汽車牽引逆變器解決方案的功率模塊制造商的需求。

混合傳感器：未來(lái)SiC MOSFET電源轉(zhuǎn)換器的選擇