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電動汽車無線充電被認(rèn)為是一項關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，將導(dǎo)致未來電動汽車供應(yīng)量的增加，從而優(yōu)化駕駛員的便利性,可以預(yù)見的是，無線電動汽車(EV)充電將改變汽車行業(yè)。
碳化硅和氮化鎵等寬帶隙產(chǎn)品正在推動電動汽車 (EV) 的大規(guī)模部署。SiC MOSFET 在為牽引逆變器供電方面發(fā)揮著重要作用，與主流硅 IGBT 相比，效率顯著提升。電動汽車內(nèi)的其他系統(tǒng)也受益于寬帶...
這些 CPL 對這些 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性提出了巨大的挑戰(zhàn)，特別是當(dāng)它們表現(xiàn)出負(fù)阻抗特性時。在傳統(tǒng)的直流-直流轉(zhuǎn)換器中
最近，AOS 推出了一系列功率 MOSFET，由于其獨(dú)特的封裝設(shè)計，可提供更好的熱管理。該產(chǎn)品旨在解決熱管理面臨的挑戰(zhàn)。
步進(jìn)電機(jī)是需要精確運(yùn)動控制的工業(yè)系統(tǒng)中的重要組成部分。它們依靠電機(jī)驅(qū)動來解碼脈沖輸入并生成輸出電流。良好的控制系統(tǒng)使用特定的算法為電機(jī)繞組生成電流，以實現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)旋轉(zhuǎn)的精確增量。
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，固態(tài)繼電器(SSR)和CMOS開關(guān)是兩種常見的開關(guān)技術(shù)，它們在不同的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要作用。
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 屬于寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體類別，與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比具有多種優(yōu)勢，而傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體現(xiàn)已達(dá)到性能極限。
工程師需要盡可能獲得的所有幫助來快速開發(fā)新的電力驅(qū)動器。差異不僅僅體現(xiàn)在尺寸、形狀和重量限制方面。功能和電氣安全要求以及環(huán)境條件在很大程度上取決于應(yīng)用和地理
新一代金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)技術(shù)、以及硅碳化物(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的出現(xiàn)，正在引領(lǐng)著能源轉(zhuǎn)換效率的革新浪潮。本文將深入探討這些前沿技術(shù)的特點、應(yīng)用前景以及它們對未來電...
由于如此關(guān)注電動汽車，很容易忽視輕型交通領(lǐng)域，特別是對電動兩輪和三輪車輛不斷增長的需求。雖然電動汽車無疑吸引了交通領(lǐng)域的大部分關(guān)注和關(guān)注，所以集成電流傳感器如何推動輕型交通電氣化?
與任何其他硅器件相比，單極 SiC MOSFET 的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，從而可以大幅提高開關(guān)頻率，從而降低總體功率損耗并提高功率輸出效率。
賽米控推出了來自兩家不同制造商的950V 和 1200V第 7 代 IGBT 。自上一代產(chǎn)品推出以來，這兩款第 7 代 IGBT 都經(jīng)歷了根本性改進(jìn)。
工程師們考慮了鰭形 FET 等多柵極器件，使我們所熟知的 FinFET 晶體管成為現(xiàn)實。
隨著數(shù)字化和可持續(xù)發(fā)展計劃的發(fā)展，大型電氣系統(tǒng)在日常生活中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，有效控制這些高壓系統(tǒng)可能具有挑戰(zhàn)性。東京大學(xué)的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 可編程柵極驅(qū)動器提供了一些改進(jìn)。
金剛石具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高載流子遷移率和大帶隙，使其成為電力電子半導(dǎo)體中很有前途的材料，那么，金剛石半導(dǎo)體材料做成的二極管可以為高壓設(shè)備供電嗎?
功率 MOSFET 是功率密集型應(yīng)用中的重要組件。它們提供相對較低的柵極電荷，非常適合中功率和高功率用例。較低的柵極電荷降低了驅(qū)動電流要求，從而實現(xiàn)了高頻和更高的效率。本文探討了中功率 MOSFET ...
設(shè)計大電流和高電壓電路所面臨的挑戰(zhàn)非常復(fù)雜。如果在設(shè)計中添加高速或混合信號電路，挑戰(zhàn)會更加嚴(yán)峻。在這種情況下，PCB制造就變得有點難以處理。
寬帶隙器件可以實現(xiàn)超過 6 kW/L 的功率密度，這意味著功率密度提高了 3 倍。英飛凌將此數(shù)字用作使用 GaN HEMT 的三相 11 kw OBC 設(shè)計中的功率密度目標(biāo)水平。在本文中，我們考慮了設(shè)...
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