PCB 的熱性能是確定電力電子設(shè)備整體合規(guī)性、可靠性和耐用性的關(guān)鍵指標(biāo)。在組件層面，熱管理很大程度上受器件封裝的影響，封裝集成了不同的散熱方法和技術(shù)。PCB 設(shè)計和 PCB 熱管理返工面臨的挑戰(zhàn)因器件封裝而異。

　　最近，AOS 推出了一系列功率 MOSFET，由于其獨特的封裝設(shè)計，可提供更好的熱管理。該產(chǎn)品旨在解決熱管理面臨的挑戰(zhàn)。

　　DFN MOSFET 封裝中的冷卻機(jī)制

　　電力電子器件中的開關(guān)器件通過其裸露觸點(直接連接到 PCB 或散熱器)散熱。

　　雙扁平無引線 (DFN) 封裝以其緊湊的外形尺寸而聞名，可實現(xiàn)更高的功率密度。這些封裝采用扁平、無引線設(shè)計，可最大限度地減少寄生效應(yīng)，增強(qiáng)電子電路的高頻性能和熱管理。DFN 中沒有引線，可以縮短到 PCB 基板的散熱距離，因此與有引線封裝相比，可以確保更好的熱性能。

　　對于 PCB 設(shè)計人員來說，底部接觸冷卻機(jī)制需要在PCB 設(shè)計階段考慮熱性能。例如，高效熱管理的 PCB 考慮因素之一是采用熱通孔。此外，PCB基板必須表現(xiàn)出低熱阻和增強(qiáng)的導(dǎo)熱性，以確保橫向熱量分布。

　　底部冷卻也可能更容易受到環(huán)境因素的影響，例如 PCB 上殘留的微小灰塵顆粒或污染物，這可能會隨著時間的推移降低散熱能力。

　　AONA66916 MOSFET

　　AOS 最近推出了 AONA66916 MOSFET，這是一款基于該公司 AlphaSGT 技術(shù)的 100V N 溝道器件。

　　AONA66916 最顯著的特點是采用了新型 DFN 5x6 封裝，在頂部和底部均提供冷卻表面。具有大表面積的頂部接觸可最大限度地與設(shè)備散熱器接觸，從而實現(xiàn)更好的散熱和性能。修改后的封裝具有 0.5°C/W 的低頂側(cè)熱阻，而采用標(biāo)準(zhǔn) DFN 5x6 封裝的 AONS66917T 的頂側(cè)熱阻為 0.58°C/W。

　　雖然這種差異看起來很小，但對于相同的結(jié)溫 (175 oC)，雙面冷卻封裝 MOSFET 可以比單面底部冷卻封裝多耗散 35 W。

　　除了散熱之外，該器件的其他值得注意的規(guī)格包括 100 V 時 197 A 的連續(xù)漏極電流以及 VGS 為 10 V 時小于 3.4 毫歐的 RDS(on)。據(jù)該公司稱，該器件非常適合應(yīng)用包括DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電信和太陽能。

　　電子設(shè)計流程的前進(jìn)方向

　　AOS 的封裝設(shè)計是一項顯著的創(chuàng)新，旨在使電子設(shè)計過程更加高效、可靠和靈活。通過實現(xiàn)更大的散熱，該器件封裝可以幫助確保電源系統(tǒng)更高的可靠性和性能，而無需擔(dān)心降額。因此，DFN 5x6 雙面冷卻套件有可能在需要堅固型電子產(chǎn)品(例如軍用設(shè)備和太空任務(wù)相關(guān)設(shè)備)的關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中變得可行。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶提供單片機(jī)(MCU)、觸控芯片以及IGBT、IPM等功率器件，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。