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集成電路(IC)已經徹底改變了數字電子學，這些IC在促進數字電子學的發展方面做出了重大貢獻，提供了一系列邏輯功能和專用電路，分為不同的邏輯家族。
隨著設計工程師認識到FPGA能夠減少元件數量、節省電路板空間并降低電路板布局復雜性的價值，FPGA市場迅速增長。
這今天篇文章中，我們將深入研究如何通過單片機(MCU)實現邏輯門系統。這一項目代表了學習過程中的一個具體且引人入勝的步驟，不僅提供了實踐之前所學理論知識的機會
SiC MOSFET在開關狀態下工作，然而，了解其在某些情況下(如驅動器故障或設計師編程的特定目的)線性工作區的行為也是很有用的，今天我們就來聊聊電源設計之線性工作區中的SiC MOSFET。
UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母縮寫，也就是不間斷電源裝置，指的是電力供應網絡與需要保護的設備之間的連接設備
MOSFET晶體管能夠處理大電壓和電流，正是由于這一特點，它被廣泛追求連接到電路或微控制器重載，本文將從實踐的角度分析如何構建簡單的MOSFET開關
在這篇電力電子教程中，我們將研究一種工作溫度顯著高于環境溫度的碳化硅(SiC)整流器的行為。當我們設想一個電路時，可以將其比作一個必須在“高溫環境”中工作的電機牽引系統。
高頻整流模塊是一種重要的電子元器件，廣泛應用于各類電子設備中，也是屬于功率器件的一種，這篇文章浮思特將深入解析高頻整流模塊的原理
LED照明技術因其高能效和精細的亮度調控而受到青睞。這些系統提供了調光功能，讓用戶能夠根據個人喜好調節光線亮度，同時減少能源消耗。今天浮思特介紹一種基于8位MCU的開關模式可調光LED驅動器解決方案。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和晶閘管(SCR)在現代工業控制和電力電子領域，是兩種常用的半導體開關元件，它們各自承載著不同的電力調控任務
MOSFET在切換過程中會產生損耗，這些損耗不僅影響了系統的效率，還會導致器件過熱，甚至損壞。因此，降低MOSFET的開關損耗是提高整體系統效率和可靠性的關鍵。
您可以通過改善熱傳導和散熱或減少開關損耗來應對這些挑戰。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 都是 WBG 技術，已成為傳統硅 (Si) 半導體的可行替代品。
通常，人們會忽視柵極驅動器在優化功率晶體管整體運行方面的作用，就好像 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 是獨立元件一樣。
現代電子應用需要高開關頻率才能實現相應的高效率，功率 MOSFET 是高功率應用中的重要組件，它們提供相對較低的柵極電荷，非常適合中高功率用例。
SiC 是一種寬帶隙 (WBG) 材料，用作半導體材料時比硅具有多種優勢(例如，帶隙寬度是硅的 3 倍，擊穿電場強度是硅的 10 倍)。與更傳統的 Si 或 IGBT 相比，使用 SiC 功率 MOS...
同步整流技術在提升電源轉換效率方面發揮著越來越重要的作用，它通過替換傳統的整流二極管來減少功率損耗，尤其是在低壓高電流輸出的應用中效果顯著。
在高壓直流輸電、大功率電機驅動以及可再生能源系統中，600V功率模塊的需求日益增長。這種功率模塊因其高效能、高可靠性和廣泛的應用范圍而受到市場的青睞。
霍爾器件在現代電子技術中起著至關重要的作用。無論是汽車、家電、工業控制，甚至是智能手機，霍爾器件的身影無處不在
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