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關(guān)于UPS(不間斷電源)知識(shí)講解

2024-05-30

UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母縮寫(xiě)，也就是不間斷電源裝置，指的是電力供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)與需要保護(hù)的設(shè)備之間的連接設(shè)備

如何構(gòu)建簡(jiǎn)單的MOSFET開(kāi)關(guān)

2024-05-30

MOSFET晶體管能夠處理大電壓和電流，正是由于這一特點(diǎn)，它被廣泛追求連接到電路或微控制器重載，本文將從實(shí)踐的角度分析如何構(gòu)建簡(jiǎn)單的MOSFET開(kāi)關(guān)

寬帶隙(WBG)半波整流器的分析

2024-05-30

在這篇電力電子教程中，我們將研究一種工作溫度顯著高于環(huán)境溫度的碳化硅(SiC)整流器的行為。當(dāng)我們?cè)O(shè)想一個(gè)電路時(shí)，可以將其比作一個(gè)必須在“高溫環(huán)境”中工作的電機(jī)牽引系統(tǒng)。

高頻整流模塊原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析

2024-05-30

高頻整流模塊是一種重要的電子元器件，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子設(shè)備中，也是屬于功率器件的一種，這篇文章浮思特將深入解析高頻整流模塊的原理

中國(guó)設(shè)立3440億元國(guó)家半導(dǎo)體基金，強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

2024-05-29

近日，中國(guó)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資三期股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)家大基金三期”)正式成立，標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新的里程碑。

一種基于8位MCU的開(kāi)關(guān)模式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器解決方案

2024-05-29

LED照明技術(shù)因其高能效和精細(xì)的亮度調(diào)控而受到青睞。這些系統(tǒng)提供了調(diào)光功能，讓用戶(hù)能夠根據(jù)個(gè)人喜好調(diào)節(jié)光線亮度，同時(shí)減少能源消耗。今天浮思特介紹一種基于8位MCU的開(kāi)關(guān)模式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器解決方案。

解析IGBT與晶閘管的區(qū)別差異

2024-05-29

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和晶閘管(SCR)在現(xiàn)代工業(yè)控制和電力電子領(lǐng)域，是兩種常用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，它們各自承載著不同的電力調(diào)控任務(wù)

如何有效降低MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

2024-05-29

MOSFET在切換過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生損耗，這些損耗不僅影響了系統(tǒng)的效率，還會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱，甚至損壞。因此，降低MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗是提高整體系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵。

為您的應(yīng)用選擇最佳的寬帶隙（WBG）技術(shù)

2024-05-29

您可以通過(guò)改善熱傳導(dǎo)和散熱或減少開(kāi)關(guān)損耗來(lái)應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 都是 WBG 技術(shù)，已成為傳統(tǒng)硅 (Si) 半導(dǎo)體的可行替代品。

WBG功率半導(dǎo)體技術(shù)推動(dòng)未來(lái)發(fā)展

2024-05-28

通常，人們會(huì)忽視柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化功率晶體管整體運(yùn)行方面的作用，就好像 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 是獨(dú)立元件一樣。

陜西啟動(dòng)千億級(jí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群打造計(jì)劃

2024-05-28

該計(jì)劃標(biāo)志著陜西省在新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)、儲(chǔ)能、軌道交通、5G通信和國(guó)防軍工等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)一步強(qiáng)化其技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并借助這些優(yōu)勢(shì)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。