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這些努力的核心是向電氣化過渡、減少碳排放和擁抱可再生能源。為了加速這一轉(zhuǎn)變，安森美推出了其最新的碳化硅技術(shù)平臺(tái)：EliteSiC M3e MOSFET。

利用半導(dǎo)體技術(shù)打造未來“永不碰撞的汽車”

如今的現(xiàn)代汽車配備了比以往更多的半導(dǎo)體，包括作為人類感官延伸的多模態(tài)傳感器。多模態(tài)傳感用于檢測(cè)車輛環(huán)境、識(shí)別潛在風(fēng)險(xiǎn)、觸發(fā)警報(bào)甚至啟動(dòng)制動(dòng)和轉(zhuǎn)向干預(yù)

2kV SiC MOSFET功率模塊在兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的應(yīng)用于串聯(lián)太陽能逆變器

雖然SiC組件固有地比硅IGBT更昂貴，但關(guān)鍵是系統(tǒng)成本，對(duì)于2kV SiC解決方案而言更低。假設(shè)12個(gè)MPPT，每個(gè)MPPT控制40A的面板輸入電流。假設(shè)具有3個(gè)MPPT的IGBT基PIM NXI-...

隔離電流傳感器在汽車設(shè)計(jì)中的演變

隔離電流傳感器技術(shù)在車輛設(shè)計(jì)中變得越來越重要。電流感應(yīng)已經(jīng)是汽車設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵部分，從簡(jiǎn)單的基于電阻的測(cè)量到更先進(jìn)的傳感器，用于分析燃油噴射系統(tǒng)的行為。

光刻機(jī)巨頭ASML第二季度財(cái)報(bào)亮眼，凈銷售額62億歐元

全球領(lǐng)先的高端光刻機(jī)制造商ASML(阿斯麥)近日公布了其2024年第二季度的財(cái)務(wù)報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示出公司在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中的強(qiáng)勁表現(xiàn)與穩(wěn)健增長(zhǎng)。本季度，ASML實(shí)現(xiàn)了凈銷售額62億歐元

屏幕驅(qū)動(dòng)芯片工作原理

屏幕驅(qū)動(dòng)芯片，顧名思義，是用來驅(qū)動(dòng)屏幕顯示的芯片。它的主要功能是將圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，控制屏幕上的每一個(gè)像素點(diǎn)顯示相應(yīng)的顏色和亮度。屏幕驅(qū)動(dòng)芯片廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本...

詳解串行接口和并行接口的區(qū)別

串行接口是一種按照順序逐位傳輸數(shù)據(jù)的通信技術(shù)。在這種傳輸方式中，數(shù)據(jù)以單一的線路傳送，每次傳輸一個(gè)比特。常見的串行接口包括USB、RS-232、I2C和SPI等。

關(guān)于電源模塊的六大誤解，你知道嗎

電源模塊是一種開關(guān)調(diào)節(jié)器，它將高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、電感器或變壓器以及多個(gè)無源元件集成到一個(gè)封裝中。

臺(tái)積電即將試產(chǎn)2nm制程，開啟芯片技術(shù)新紀(jì)元

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電(TSMC)宣布，計(jì)劃于下周開始試產(chǎn)其最新的2nm制程技術(shù)。這一重大進(jìn)展標(biāo)志著臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域的又一次飛躍，預(yù)計(jì)該技術(shù)將在性能和能效方面帶來顯著提升。

功率半導(dǎo)體的未來：堅(jiān)固耐用的高性能碳化硅(SiC)晶體管

SiC 器件完全有能力應(yīng)對(duì)上述所有市場(chǎng)挑戰(zhàn)。正如我們?cè)谶^去幾年中看到的每一代新硅功率器件一樣，新的寬帶隙技術(shù)不僅僅是向前邁出的一步，而且有能力成為真正的游戲規(guī)則改變者。

寬帶隙(WBG)材料推動(dòng)未來技術(shù)的半導(dǎo)體研究和制造

寬帶隙材料是指具有較大能帶間隙的半導(dǎo)體材料。常見的WBG材料包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和金剛石等。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，WBG材料在高溫、高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，因而備受關(guān)注。

智能功率模塊背后的技術(shù)，深入了解熱泵技術(shù)