在氣候危機不斷升級和全球能源需求不斷上升的背景下，各國政府和各行業正致力于實現雄心勃勃的氣候目標，以減輕對環境的影響并確保可持續的未來。這些努力的核心是向電氣化過渡、減少碳排放和擁抱可再生能源。為了加速這一轉變，安森美推出了其最新的碳化硅技術平臺：EliteSIC M3e MOSFET。

　　此次發布會由安森美公司電源解決方案營銷高級總監 Mrinal Das 博士主持，并在一個詳細的會議上重點介紹了該技術的潛力和影響。Das 博士擁有 SiC MOSFET 博士學位，在業內擁有 30 年從業經驗，他重點介紹了 SiC 技術在過去 30 年的變革歷程。

　　Das 博士表示： “看到一項新興技術取得如今的成就，推動地球實現可持續發展目標，這真是一段不可思議的旅程。”新一代 SiC MOSFET 旨在提高能源效率，并支持向可持續替代品的轉變。

　　由于碳和硅原子交替排列， SiC 被描述為“含有一些硅的鉆石”。這種結構具有出色的半導體特性，例如高介電強度和熱導率，使其成為功率器件的理想選擇。SiC 的特性可實現更高的開關頻率、減小無源元件的尺寸和成本，以及更高效的系統，同時放寬熱管理要求。

　　“這才是真正讓碳化硅脫穎而出，成為取代硅的下一代半導體領導者的原因，”Das博士說。

　　全球電力消耗

　　全球電力消耗主要由三大領域推動：工業活動、交通運輸和數據中心。每個領域都有獨特的需求和挑戰，對整體能源使用和環境影響產生重大影響。

　　工業活動是全球最大的電力消耗領域之一。這些活動通常嚴重依賴化石燃料，這不僅會耗盡有限的資源，還會造成環境污染和氣候變化。工業燃燒化石燃料會向大氣中釋放大量二氧化碳和其他溫室氣體，加劇全球變暖。轉向更可持續的能源對于減少工業運營的環境足跡至關重要。

　　交通運輸業是另一個主要的電力消耗行業，尤其是隨著電動汽車的普及。從歷史上看，交通運輸業一直以內燃機汽車為主，這些汽車依賴汽油和柴油。這些化石燃料不僅有限，而且還會產生有害排放。轉向電動汽車是邁向可持續發展的積極一步，因為電動汽車可以由可再生能源提供動力。然而，電動汽車充電基礎設施需要擴大和優化，以有效支持這一轉變。

　　近年來，數據中心對電力的需求呈指數級增長。這種增長主要是由于對人工智能和其他數據密集型技術的日益依賴。數據中心需要大量電力來運行服務器、冷卻系統和其他基礎設施。隨著人工智能繼續融入日常生活的各個方面，數據中心的能源消耗預計將進一步上升。這一趨勢凸顯了對更高效的電力解決方案的需求，以管理日益增長的需求。

　　電氣化是應對全球電力消耗相關挑戰的關鍵戰略。通過從化石燃料過渡到電力，我們可以減少溫室氣體排放，邁向更可持續的能源未來。Onsemi 的 SiC 技術通過提供高效的半導體元件來提高電氣系統的性能和效率，在這一轉變中發揮著至關重要的作用。

　　SiC技術的影響

　　SiC 技術通過提高系統效率提供了一種解決方案。即使效率提高 1%，也會產生深遠的影響。例如，將電動汽車牽引逆變器的效率提高 1%，電動汽車每年可以多行駛 40 億英里。同樣，將數據中心的電源提高 1%，每年可以節省 6.5 億美元的電力成本。工業自動化效率提高 1%，每年可以節省 250 多億美元。

　　“百分之一可能看起來很小，但當應用于大數字時，它會產生重大影響，”達斯博士解釋道。

　　適合不同市場的整體解決方案

　　Onsemi 的方法是全面的，不僅提供組件，還提供全面的解決方案。這一策略對于滿足汽車、工業和數據中心等各種市場的需求至關重要。

　　在汽車領域，安森美的解決方案增強了電動汽車的動力系統和先進的安全系統。新型 SiC MOSFET 有望使電動汽車更加高效、可靠，從而支持電動交通的更廣泛應用。

　　在工業方面，重點關注可再生能源基礎設施、電動汽車充電基礎設施和工廠自動化。通過提高能源基礎設施的效率并使工廠自動化更具成本效益，安森美的解決方案有助于打造更加可持續和高效的工業格局。

　　EliteSiC 和 M3E MOSFET

　　Onsemi 的 SiC 技術(品牌為 EliteSiC)被視為業界領先。最新產品 1,200-V 11-mΩ EliteSiC M3E MOSFET 較前幾代產品有顯著改進。M3E 技術可將傳導損耗降低 30%，并將開關損耗降低高達 50%，這對于實現系統級效率至關重要。

　　Das 博士說：“我們正在嘗試利用先進的技術將功率半導體對系統損耗的貢獻降至最低。”

　　EliteSiC 的特性使其在各種應用中表現出色，特別是在高效率和可靠性至關重要的領域。在電動汽車牽引逆變器中，EliteSiC 技術由于其較低的傳導損耗可以提供 20% 以上的功率。對于充電器和電源裝置等高速應用，M3E MOSFET 的性能優于以前的解決方案，使其成為不同領域的通用選擇。

　　Das 博士說：“在更高開關頻率下運行的能力可減小無源元件的尺寸和成本，從而實現更高效、更具成本效益的系統。”

　　盡管溝槽技術取得了進步，但安森美半導體仍繼續利用平面技術進行創新，因為該技術經過數十年的研究和行業使用，其可靠性和質量得到了證實。該公司計劃在溝槽技術完全優化后最終采用該技術。

　　Das 博士表示：“平面技術的表現仍優于目前市場上現有的技術”，他強調了平面解決方案的持續相關性。

　　Onsemi 經過大量測試并與業內同行進行對比，證明了其致力于提供高質量、可靠的產品。該公司的平面技術具有公認的穩定性和使用壽命，是各種應用的可靠選擇。

　　Das 博士說：“我們的零部件性能非常穩定，在車輛 20 年的使用壽命內，故障率低于十億分之一。”

　　安森美半導體的主要優勢之一是其垂直整合，從原材料到成品電源模塊。這種對供應鏈的全面控制使得解決方案在各個層面都得到優化，確保每個組件都有助于提高系統的整體效率和性能。

　　Das 博士表示：“我們的垂直整合和內部專業知識使我們能夠提供優化的解決方案，加速向可持續發展的轉型。”

　　未來展望與創新

　　安森美 SiC MOSFET 的推出標志著我們向可持續未來邁出了重要一步。該技術應用于各個領域，將在減少對化石燃料的依賴和提高能源效率方面發揮關鍵作用。

　　Das 博士總結道：“我們正在推動下一代技術進入市場。這是技術和可持續發展的激動人心的時代，我們很自豪能站在這場運動的前沿。”

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