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近日，深圳市發展和改革委員會宣布設立總規模達50億元的“賽米產業私募基金”，旨在通過“政策+資本”的方式支持半導體與集成電路產業的全鏈條優化和升級。
碳化硅(SiC)功率器件因其優異的物理特性，如高擊穿場強、高熱導率和高電子飽和漂移速度，已成為新一代功率電子器件的理想選擇。
電流傳感器在電力監測、控制和電機驅動等領域的應用日益廣泛。LEM(萊姆)是一家專注于電流和電壓測量解決方案的公司，其閉環電流傳感器憑借高精度、高速響應和極低的漂移特性，在市場上得到了廣泛應用。
?快恢復二極管(FRD)和碳化硅(SiC)二極管作為兩種重要的功率半導體器件，正在推動著能源轉換效率的持續提升。隨著新能源發電、電動汽車和工業自動化等領域的快速發展，對高效、可靠的二極管需求日益增長。
近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業的廣泛關注
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現代電力電子系統的核心器件，其損耗計算對于系統效率評估和熱設計至關重要。本文將詳細分析IGBT的損耗構成
告別傳統8/16位MCU的算力桎梏，32位單片機憑借強勁的Arm Cortex-M系列內核(如高效M0+、高性能M33)，輕松駕馭復雜任務：
在現代科技迅猛發展的背景下，感應觸控技術逐漸成為各類電子設備的標配。從智能手機到家用電器，感應觸控芯片的應用無處不在。
隨著全球對氮化鎵(GaN)半導體需求的快速增長，英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)正在積極布局，以鞏固其在GaN市場的領先地位。
在現代社會中，UPS(不間斷電源)系統是保障各類設備穩定運行的重要組成部分，特別是在數據中心、醫療設施和金融行業中。對于許多用戶來說，了解UPS的組成部分至關重要，其中電池模塊和功率模塊是兩個關鍵組件...
功率半導體器件(如IGBT、SiC MOSFET)已成為現代電力轉換系統的“心臟”。然而，這顆“心臟”的強勁搏動正面臨嚴峻考驗——隨著器件功率密度持續攀升，散熱問題日益成為制約其性能、可靠性與小型化的...
在電子設備的心臟地帶，電源驅動芯片如同一位精準的指揮官，默默調配著能量的流動。無論是智能手機的快充、工業設備的穩定運行，還是新能源汽車的能量轉換，其性能優劣直接關乎整機效率、穩定性和壽命
近期，ROHM半導體公司發布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構中的熱插拔電路設計，廣泛應用于AI服務器及工業電源，尤其是在需要電池保護的場合。
單片機(Microcontroller)作為嵌入式系統的核心，廣泛應用于智能家居、工業控制、汽車電子等領域。面對市場上眾多品牌和型號的單片機，如何選擇一款最適合自己項目的單片機
當您輕觸智能家居面板喚醒燈光，輕劃醫療設備屏幕查詢數據，或在工業控制終端精準操作時，指尖每一次輕觸背后，都有一顆觸控芯片在無聲工作。
其薄膜形態更是憑借驚人的耐高溫、高導熱、高擊穿場強及抗輻射能力，成為突破下一代功率電子、射頻器件和極端環境傳感器性能瓶頸的關鍵鑰匙。
據報道，東京大學的研究團隊近日成功開發出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創新在微電子技術領域引起了廣泛關注，標志著微電子器件性能提升的重要突破。
在現代電子設備中，金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)以其優異的開關特性和低功耗優勢，被廣泛應用于電源管理、電機驅動和信號放大等領域。
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