近期，ROHM半導體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護的場合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進一步加大了對提高電源效率的需求。

為了應(yīng)對這一趨勢，行業(yè)正逐步從傳統(tǒng)的12V電源系統(tǒng)向更高效的48V架構(gòu)轉(zhuǎn)型。在新的電源結(jié)構(gòu)中，熱插拔電路允許在服務(wù)器運行的同時安全地更換模塊，這對MOSFET的性能提出了更高的要求。需要具備寬廣的安全工作區(qū)(SOA)和低導通電阻，以確保能夠有效防止涌入電流和過載情況的發(fā)生。

RY7P250BM正是為滿足這些要求而設(shè)計的。該器件將寬SOA與低導通電阻的優(yōu)勢整合在一個緊湊的8080尺寸封裝中，從而幫助數(shù)據(jù)中心降低功耗和熱管理負擔，提升服務(wù)器的可靠性和整體能效。隨著市場對8080尺寸MOSFET需求的不斷增長，RY7P250BM成為現(xiàn)有解決方案的理想替代品。

在技術(shù)性能方面，RY7P250BM提供了廣泛的SOA(VDS=48V, Pw=1ms/10ms)，非常適合熱插拔應(yīng)用。此外，其導通電阻高達行業(yè)領(lǐng)先的1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C)，這一數(shù)值比同尺寸的其他100V寬SOA MOSFET的平均水平2.28mΩ低約18%。這樣的性能表現(xiàn)顯著減少了功率損耗和熱生成，提升了整體能效。

在AI服務(wù)器的熱插拔電路中，寬廣的SOA顯得尤為重要，因為這些系統(tǒng)常常需應(yīng)對高涌入電流的挑戰(zhàn)。RY7P250BM設(shè)計用于有效處理這些情況，能夠承受10ms的16A和1ms的50A，支持高負載條件，這在傳統(tǒng)MOSFET中往往難以實現(xiàn)。這一特性使得RY7P250BM成為電源設(shè)計中不可或缺的組件，尤其在需要高可靠性和優(yōu)秀性能的應(yīng)用場景中。

未來，ROHM計劃進一步擴大其48V兼容的電源設(shè)備產(chǎn)品線，滿足服務(wù)器和工業(yè)應(yīng)用的需求。通過這些創(chuàng)新，ROHM希望能夠推動更可持續(xù)的ICT基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，同時為客戶提供更高效、更可靠的電源解決方案。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(MCU)、觸摸芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。