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而電磁爐的核心部件之一——IGBT(絕緣柵雙極晶體管)則直接影響著電磁爐的性能和使用壽命。本文將為您介紹如何判斷電磁爐IGBT的好壞
電力電子系統的虛擬優化是提高現代技術性能和效率的關鍵。這一過程的核心是開發精確的半導體模型,這對于模擬電力電子轉換器的開關行為
電源設備的能效是最關鍵的指標，因為即使是輕微的改進也能帶來顯著的節能。此外，保持峰值能效可以減少組件的老化，使系統能夠更長時間運行而不需要頻繁維護。
隨著電力電子環境的演變,能夠采取電氣化舉措,有效的熱管理和可靠的長期性能變得越來越重要。
顯示驅動芯片(Display Driver IC，簡稱DDIC)作為屏幕顯示的核心部件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅決定了屏幕畫面的亮度和色彩，還直接影響了用戶的視覺體驗。
變頻器作為現代工業驅動系統的核心組件，其性能與穩定性在很大程度上取決于功率模塊的選擇與應用。本文將詳細介紹變頻器功率模塊的分類及其特點
單片機的輸入引腳通常直接連接到外部電路，受到環境干擾、電壓尖峰、靜電放電(ESD)等因素的影響，可能導致單片機損壞或工作不穩定。因此，設計一個有效的輸入保護電路至關重要。
這些外設為開發簡單的邏輯電路、混合信號以及與其他硬件外設集成提供了有用的工具。但這些外設的一個局限性是每個實例的邏輯量非常小。每個CLC大約相當于一個查找表(LUT)
但如果您在這一領域沒有廣泛的專業知識，建議您先專注于一個設備(或一個設備系列)，在獲得一定的經驗后再逐步擴展，那么，如何為您的應用選擇合適的微控制器呢
從表面上看，電壓是一個簡單的話題，但實際上非常復雜，涉及到我們周圍無形的電子流動的成千上萬種情況。以下是關于電壓的七個事實，你應該了解。
電容屏觸控芯片是什么?電容屏觸控芯片是用于電容式觸摸屏的核心部件，它負責檢測用戶的觸摸輸入，并將這些輸入轉化為系統可識別的信號。
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是最為廣泛研究和應用的兩種材料。它們在功率電子學，尤其是在金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)領域，表現出色。
在現代電力電子領域，MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是兩種常用的開關元件。它們在電力控制和轉換中扮演著至關重要的角色
隨著科技的發展，集成電路(IC)和電子產品的復雜性不斷提升，IPM(智能功率模塊)逐漸成為現代電力電子的核心組件之一。IPM不僅提高了系統的性能，還簡化了設計流程。
單片機(Microcontroller，簡稱MCU)是一種集成電路，內部集成了中央處理器(CPU)、存儲器、輸入輸出接口和其他功能模塊，如定時器、模擬轉數字轉換器(ADC)等，廣泛應用于自動化控制、家...
IGBT是一種重要的電子器件，廣泛應用于電力電子領域，如變頻器、開關電源和電動汽車等。IGBT結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的高載流能力，使其成為高效能電力控制的理想選擇
基于回旋共振的實驗技術用于測量半導體中載流子的有效質量，但在金屬中效果不佳。在本教程中，我們將研究一些俄羅斯物理學家測試的類似技術。
本文詳細介紹了一種使用并聯連接的碳化硅(SiC)MOSFET構建的25 kW雙有源橋(DAB)轉換器的設計與性能分析。在今年PCIM歐洲博覽會和會議上發表的一篇論文中
知識專欄