ASD是原子層沉積的延伸,旨在從底層構建電路特征,而如何繞過光刻技術制造芯片。
英飛凌已發布其第二代 CoolSiC MOSFET 器件,電壓等級為 650 V、1200 V 和 3300 V,面向電動汽車充電、工業太陽能逆變器、伺服驅動器、UPS 和鐵路牽引等高壓工業應用。
今天,我們榮幸地向大家介紹浮思特最新推出的MPRA1C65-S61碳化硅(SiC)模塊,這款模塊憑借其卓越的碳化硅半導體技術
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導體器件,已廣泛應用于變頻器、電動汽車、太陽能逆變器等多種領域。隨著技術的不斷進步,碳化硅IGBT作為新一代IGBT技術,以其卓越的性能逐漸受到行業的...
從智能手機到超級計算機,從家用電器到工業自動化,半導體元器件無處不在,它們是現代電子設備的心臟和靈魂。這篇文章浮思特將深入探討半導體電子元器件的重要性、種類、應用以及未來發展趨勢
觸控技術幾乎無處不在,從智能手機到平板電腦,再到各種智能家電,觸控屏幕已成為我們日常生活中不可或缺的一部分。但你有沒有想過,是什么技術使得屏幕能夠感應到你的觸摸呢?今天,我們就來揭開電容觸控芯片原理的...
智能功率模塊(Intelligent Power Module,簡稱IPM),這個在現代電子設備中扮演著核心角色的小部件。如果你是個電子愛好者,或者在電子制造行業工作,那么了解如何檢測IPM的好壞是非...
深圳半導體制造設備的進口額達到了155億元,同比增長286.8%。這一驚人的增長速度,不僅表明了深圳市在半導體產業中的快速發展,也預示著其在全球半導體供應鏈中的重要地位。
面對市場上琳瑯滿目的IGBT模塊,如何選擇最適合自己需求的產品呢?本文將帶你了解IGBT模塊選型時需要注意的關鍵參數。
屏幕已經成為我們日常生活中不可或缺的一部分。但是,你是否曾經好奇過,這些屏幕是如何工作的?是什么讓它們能夠顯示如此豐富多彩的圖像和視頻?答案就是屏幕驅動芯片。
MOSFET根據其工作特性主要分為兩大類:增強型MOSFET和耗盡型MOSFET。這兩種MOSFET在結構、工作原理和應用場景上有著顯著的區別。
盡管兩者都屬于場效應管的范疇,但它們在結構、工作原理和應用上存在顯著差異。這篇文章將詳細探討場效應管和MOS管的區別,并解釋它們在現代電子技術中的應用。
近期,Microchip Technology 宣布了兩項重大進展,展示了其對創新和供應鏈彈性的承諾。首先,該公司擴大了與領先的半導體代工廠臺積電(TSMC)的合作關系
自動化可以徹底改變行業的未來,但前提是有合適的電子設備來支持它。更具體地說,驅動機器人應用的半導體必須進行改進,以實現自動化的進步。寬帶隙半導體可能會帶來這種變化。
那么,如何保護電子元器件以延長生命周期,解決這個問題的一種方法是在生產結束后長期儲存半導體元件。該解決方案使您能夠在設備的整個使用壽命期間持續供應組件。
雖然電動汽車可能是這些設備的目標應用,但任何高功率 DC-DC 轉換都可以從 SiC PIM 中受益。當電力必須雙向流動時(例如在車輛到電網應用中),碳化硅提高的效率和性能可能特別有用。
電力系統和物聯網領域的全球參與者英飛凌科技最近與全球半導體制造商 SK Siltron CSS 達成了一項協議。該協議規定SK Siltron為英飛凌生產150毫米碳化硅晶圓。
由于 MOSFET 在電源管理設計中提供關鍵的開關功能,因此選擇具有物理、熱和電氣屬性優化平衡的器件對于提高功率密度至關重要。功率 MOSFET 封裝的最新創新提高了性能