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Microchip(微芯科技)已宣布推出一款新的車載充電器(OBC)解決方案，該解決方案集成了公司的智能、電源因數(shù)校正、信號生成、高壓和大電流驅動組件。
目前，關于氫作為交通燃料的炒作正達到狂熱的程度，政府、汽車制造商和石油公司正投入數(shù)億美元，以使氫能源汽車概念更具吸引力。
然而，高效地控制這些高壓系統(tǒng)可能非常具有挑戰(zhàn)性。這篇文章介紹一款用于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的可編程柵極驅動器提供了一些改進。
這些設備配備了高功耗的CPU和GPU，需要功率范圍在300瓦到500瓦的電源模塊(PSU)。由于空間和厚度的限制，這種PSU的設計本質上是困難的，需要高功率密度。
在大多數(shù)離散PLC系統(tǒng)中，故障排除輸出設備的過程相當簡單。如果輸出端子工作正常，那么在‘關閉’時應測量到0V，在‘開啟’時應測量到全源電壓。
英飛凌科技推出了一系列先進的電源模塊(PSU)，專為人工智能數(shù)據(jù)中心設計。這些PSU的功率范圍從3千瓦到12千瓦，利用新型半導體技術實現(xiàn)了極高的效率。
Nexperia宣布，其650V、10A的碳化硅(SiC)肖特基二極管現(xiàn)已通過汽車認證(型號為PSC1065H-Q)，并采用真實的雙引腳(R2P)DPAK(TO-252-2)封裝。
本文將描述硅摻雜對高溫下散裝GaN熱導率的影響，并以實驗證據(jù)證明理論處理的有效性。
GaN晶體管憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應用前景，在電子技術領域逐漸成為了工程師們關注的焦點。那么，GaN晶體管是否能像MOSFET(場效應晶體管)一樣易于使用呢?
基于硅半導體的電子設備對于現(xiàn)代世界至關重要。它們在設計用于中等溫度(最高可達250C或482F)的系統(tǒng)時表現(xiàn)良好。但是，一旦溫度升高到300C(572F)以上，基于硅的電子設備無法長時間運行。
據(jù)彭博社報道，當?shù)貢r間6月13日，三星電子在其備受矚目的年度代工論壇上公布了詳細的芯片制造技術路線圖，此舉旨在鞏固并提升其在人工智能(AI)芯片代工市場的領先地位。
氮化鎵(GaN)器件在功率轉換器中具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關能力。橫向GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)功率器件在這些應用中市場增長強勁。
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)放大器因其高效率、低功耗和良好的線性特性而被廣泛應用于各種電子設備中。這篇文章將詳細介紹MOSFET放大器的工作原理
碳化硅在許多電力轉換應用中比硅表現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。進一步的成本降低和大規(guī)模生產是滿足全球電氣化帶來的對電力半導體強勁需求的關鍵。在本文中，我們將詳細討論工程化SiC基板的潛在優(yōu)勢。
碳化硅(SiC)技術作為一種新興的功率半導體材料，以其高效能、高耐壓和高頻率的特性，正在迅速成為電動汽車充電解決方案中的重要一環(huán)。本文將詳細探討SiC在電動汽車充電中的優(yōu)勢
SemiQ將1,700V SiC肖特基分立二極管和雙二極管模塊引入其QSiC?產品系列。新設備滿足了多種高需求應用的尺寸和功率要求，如開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、感應加熱器
業(yè)界首款采用TOLL封裝的4毫歐硅碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)。這一成果標志著在標準分立封裝的650V至750V功率器件中實現(xiàn)了最低的導通電阻
直流電動機驅動器有多種類型，主要分為硅控整流器(SCR)和脈寬調制(PWM)驅動器兩類。
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