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液晶顯示屏驅動芯片不僅決定了顯示效果的優劣，還在很大程度上影響著設備的性能和用戶體驗。本文將深入探討液晶顯示屏驅動芯片的工作原理、分類、應用領域，以及未來的發展趨勢。
32位單片機以其強大的性能、豐富的功能和廣泛的應用領域，成為了嵌入式系統中的重要組成部分。它們廣泛應用于家居自動化、工業控制、醫療設備、智能家居等多個領域
L60作為一款全新電動車型，其技術突破可圈可點。其中，搭載的高性能碳化硅(SiC)模塊成為該車型的一大亮點。
正確選型半導體功率器件，對于提高系統性能、降低能耗和提高可靠性至關重要。
電源管理是電子設備設計中的一個重要方面，尤其在當前對能效和電池壽命要求日益提高的背景下，電源芯片的控制方式顯得尤為關鍵。
MOSFET根據其工作原理和結構的不同可以分為兩大類：耗盡型MOSFET(Depletion-Type MOSFET)和增強型MOSFET(Enhancement-Type MOSFET)
根據國際半導體產業協會(SEMI)的最新預估，2024年全球半導體營收有望實現20%的增長。這一增長主要得益于存儲器市場的價量齊升以及人工智能(AI)芯片的快速發展。
場效應晶體管(FET)在設計為400V-500V母線電壓的逆變器中具有吸引力，相比于硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或寬禁帶(WBG)替代品，它們提供了更優的導通損耗和開關損耗。
8 位微控制器( MCU) 實現可以提供必要的構建塊來創建支持通信、定制和智能控制的解決方案。
SiC MOSFET 基本上可以在 Si MOSFET 或 IGBT 的電壓水平下工作，但不能以其最佳參數工作。理想情況下，SiC MOSFET 的柵極電壓為 20V，以便以最小 RDSon 導通。
作為碳化硅(SiC)技術的重要參與者，三安光電正在加速布局以滿足日益增長的市場需求，尤其是在新能源汽車和高效能電力電子領域。
集成功率模塊(IPM，Intelligent Power Module)作為一種新型的功率器件，因其高效、可靠及集成化程度高而被廣泛應用于電動機驅動、逆變器和各類電源轉換器等領域。那么，如何正確選取適...
兩種常見的功率半導體器件是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。盡管它們在某些應用中可以互換使用，但它們的工作原理、特性和適用場合卻大相徑庭。本文將深入探討IG...
在電子工程和嵌入式系統設計中，8位單片機(Microcontroller)是一種廣泛應用的微控制器。其核心功能在于控制和處理數據，而晶振頻率則是影響其性能和應用的關鍵參數之一。本文將詳細探討8位單片機...
2024年上半年，全球半導體市場表現出色，同比增長達20%。這一增長勢頭預計將在下半年繼續保持，增速將高達23%。這一數據不僅反映了當前市場需求的強勁復蘇
SiC功率器件的性能不僅取決于其材料特性和結構設計，還與其封裝技術密切相關。因此，封裝測試在SiC功率器件的開發與應用中顯得尤為重要。
方便、靈活且堅固的USB電源可以超越傳統的PC和移動應用，滿足比以往USB版本更多的高功率設備需求。
車載充電器(OBC)和輔助電源模塊(APM)是電動汽車中兩種主要的電力電子組件。OBC作為電網與高壓(HV)驅動電池之間的中介，它將高壓直流總線電壓降至低壓(LV)總線
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