IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊)是一種高度集成的功率電子器件,它將功率開關器件(如IGBT或MOSFET)與其驅動電路、保護電路等集成在一個封裝內。
在全球半導體產業迅速發展的背景下,臺灣半導體制造巨頭臺積電(TSMC)近日宣布與日本東京大學建立聯合實驗室,正式啟動名為“TSMC-UTokyo Lab”的項目。
在電力電子領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)是兩種最常見的功率半導體器件。對于電子工程師、維修技術人員和電子愛好者來說,準確區分單管IGBT和MOS管至關重...
在嵌入式系統設計的世界里,“8位還是32位?” 這個經典問題始終縈繞在工程師心頭。面對開發成本、性能需求和上市時間的多重壓力,選錯核心可能導致項目受阻或成本失控
在非接觸測溫領域,從快速篩查體溫的額溫槍到工業設備的在線監控,熱電堆紅外傳感器扮演著核心角色。它默默感知著物體散發的紅外輻射,將其轉化為可讀的溫度信號。
近期,模擬集成電路(IC)相關業者無論是在歐美的大型半導體公司,還是在中國的中小型企業中,普遍對市場前景持樂觀態度。根據業內人士的分析,這一樂觀情緒主要源于車用電子和工業控制(工控)領域的需求回暖
根據工作原理的不同,電壓傳感器可分為多種類型。其中電阻式和電容式傳感器最為常見,而電感式傳感器在特定領域也有廣泛應用。
電容式觸摸屏徹底改變了我們與電子設備的互動方式,從智能手機和平板電腦到工業控制面板和汽車顯示器。這些觸摸敏感接口依賴于材料和組件之間復雜的相互作用,以檢測和響應我們的觸摸輸入。
紅外熱像儀作為現代高端檢測設備,憑借其非接觸測溫、可視化熱場分布等優勢,已廣泛應用于工業檢測、科研實驗、醫療診斷等領域。隨著微電子技術和光學工藝的突破,當代紅外熱像儀的性能指標已實現跨越式提升。
近日,意法半導體(STMicroelectronics)發布了兩款新型氮化鎵(GaN)柵極驅動器——STDRIVEG610和STDRIVEG611,專為高頻和高壓電力設計而打造。這兩款驅動器的推出
紅外熱成像技術因其在眾多領域的重要應用而逐漸受到關注。而其中,紅外熱成像芯片作為這一技術的核心組件,正發揮著不可或缺的作用。
隨著技術的進步,電流傳感器的種類日益豐富,性能也不斷提升,為各行業提供了更加精準、可靠的電流檢測解決方案。
熱電堆紅外溫度傳感器是一種非接觸式測溫設備,通過檢測物體發出的紅外輻射來測量其表面溫度。它基于熱電效應,將紅外能量轉化為電信號,再通過算法計算出溫度值。
半導體行業協會(SIA)近日發布的最新數據顯示,2025年4月全球半導體銷售額達到570億美元,較3月的556億美元環比增長2.5%,較2024年同期的464億美元同比大幅增長22.7%。
傳統的漏水檢測往往依賴于目測和經驗,但這些方法往往無法準確定位漏水源。近年來,紅外熱成像儀作為一種高效的技術手段,逐漸被廣泛應用于漏水檢測中。
在現代電力系統中,準確監測電流是確保設備安全和高效運行的基礎,而霍爾電流傳感器憑借其高效、精確的特性,成為了電流測量領域的重要工具。
IGBT模塊是一種集成型的半導體器件,結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的高電流承載能力。其主要優勢在于能夠在較高頻率和較大功率下穩定工作。在逆變器中,IGBT模塊通常用于生成高質量的交流電波形。
微控制器(MCU)芯片在各個領域的應用日益廣泛,成為現代電子設備不可或缺的重要組件。MCU芯片以其低功耗、高性能、易于集成等特點,廣泛應用于智能家居、工業自動化