近日，意法半導體(STMicroelectronics)發布了兩款新型氮化鎵(GaN)柵極驅動器——STDRIVEG610和STDRIVEG611，專為高頻和高壓電力設計而打造。這兩款驅動器的推出，標志著在高效能電源轉換與電機控制領域的重要突破，有望進一步推動GaN技術的應用。

氮化鎵(GaN)晶體管因其卓越的開關速度、效率和功率密度，越來越受到工程師的青睞。與傳統的硅MOSFET相比，GaN器件能夠在更高的頻率下運行，從而提升整體系統性能。然而，要充分發揮GaN的優勢，尤其是在高電壓和高頻率的應用中，需要專門設計的柵極驅動器，以確保速度、安全性和時序精度的管理。

STDRIVEG610是針對高頻、低損耗轉換拓撲設計的驅動器，適用于如LLC諧振轉換器、主動鉗位反激設計等電源應用。這款驅動器的啟動時間僅為300納秒，能夠滿足軟開關電路對時序的嚴格要求。此外，STDRIVEG610集成了高側和低側線性穩壓器，省去了外部LDO的需求，簡化了PCB布局。

該驅動器支持超過1 MHz的開關頻率，其匹配的傳播延遲為45納秒，顯著降低了時序偏差，提高了整體系統效率。為滿足節能法規，STDRIVEG610還具備待機模式，有效降低了待機功耗。同時，寬邏輯輸入范圍(3.3 V至20 V)使其能直接與多種控制器接口，提升了設計靈活性。

與STDRIVEG610不同，STDRIVEG611專為電機驅動和運動控制系統設計，特別適用于電氣噪聲和負載變化顯著的環境。這款驅動器包括一系列先進保護特性，如高側欠壓鎖定和過流探測器，確保在過流故障情況下能夠安全關閉輸出。

G611的啟動時間僅為5微秒，配合分開的引流和源驅動路徑，能夠快速響應，從而減少開關損耗和電磁干擾，保持高效的電機控制性能。它同樣支持超過1 MHz的開關頻率，并具備±200 V/ns的dv/dt抗擾能力，確保在快速開關的電機控制設計中可靠運行。

為了幫助工程師快速驗證這兩款驅動器的性能，意法半導體還提供了現成的開發板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611。這些開發板配備了相應的600 V GaN HEMT，幫助設計師評估開關性能和保護特性。

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