浮思特科技
新聞資訊
充電速度有所提高，但更高的充電電流需要更高額定值的電子元件，而這些元件會在 EV 壁掛式充電器中產生更多熱量。這種熱量限制了許多家用充電器的使用壽命，但歐姆龍開發了一款高功率 PCB 繼電器 G9KC...
變壓器雖然具有高效率，但在研究變壓器理論時，考慮某些損耗是至關重要的。這些損耗大致可以分為核心損耗和線圈損耗。核心損耗相對恒定，來源于磁路，其隨變壓器電流變化而變化不大
盡管它們在某些應用中可以互換使用，但它們之間有許多關鍵的區別。本文將詳細闡述這兩種器件的結構、工作原理、優缺點和應用場景，以幫助讀者更好地理解它們的區別。
IPM模塊是一種集成的功率電子設備，通常包括功率MOSFET或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、驅動電路、保護電路等多種功能模塊的組合。由于其高度集成的特性，IPM模塊能夠在較小的體積內實現多種功能
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為高效能的開關器件，被廣泛應用于電力轉換、驅動控制等領域。尤其是單管IGBT，由于其獨特的優越性，成為了許多高功率應用中的首選。
電子元器件在現代電子設備中發揮著至關重要的作用。為了確保設備的正常運行，必須對其進行有效的檢測和判斷。本文將介紹幾種常見的電子元器件檢測方法
在現代電子設備中，開關電源芯片扮演著至關重要的角色。它們以高效、穩定的特性廣泛應用于各種電子產品中，如電腦、電視、手機及其他家用電器。本文將詳細闡述開關電源芯片的工作原理
SiC器件在性能上具有顯著優勢。在高溫、高頻和高壓的應用中，SiC功率器件展示了其優越的性能，使其成為新一代電力電子應用中的熱門選擇。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種重要的半導體器件，在電力電子領域得到了廣泛應用。它結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的高載流能力，成為變頻器、逆變器和電動機驅動等應用中的首選器件。
在當今高速發展的電子行業中，電子元器件的可靠性是確保產品性能和安全的關鍵因素。無論是在消費電子、汽車、航空還是醫療設備領域，高可靠性的電子元器件都是構建高效、穩定系統的基石。
此類故障的另一個方面是對電隔離屏障的損害，這可能導致電擊，因為電機驅動在數百至數千伏的高電壓交流電線上運行，提供高功率。
GaN晶體管的幾個重要優勢來自于其寄生效應普遍低于硅等效物。特別是，較低的柵源電容和柵漏電容(CGS, CGD)值導致在開關過程中能量損失較小。圖1比較了使用硅和GaN技術實現的48 V到3.3 V降...
在電路中使用三種類型的被動元件：電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著其行為對電壓或電流波動的反應較小。與此相對，主動元件對電壓和電流具有非線性反應，二極管、晶體管和熱電子閥門就是主動元件的例子
眾多半導體材料中，碳化硅(SiC)因其優異的性能，逐漸成為功率模塊的首選材料。我將深入探討半導體SiC功率模塊的優勢及其在各行業中的應用前景。
雖然它們在功能上有相似之處，都是三引腳的電子器件，但在結構、工作原理、應用場合和性能特征上卻存在顯著的差異。本文將詳細介紹三極管、mosfet和igbt這三種器件的區別。
IPM模塊在電機控制、變頻器和逆變器等領域的應用非常廣泛，它們的高效率和集成化設計使得電路設計變得更加簡單和可靠。
作為一名熱愛電子技術和編程的工程師，我對8位單片機的理解與應用可以追溯到我剛開始接觸嵌入式系統的那段時間。8位單片機，并不是一個簡單的名稱
MOSFET(場效應晶體管)作為一種重要的半導體器件，廣泛應用于電源管理、汽車電子、消費電子及工業控制等多個領域。隨著國內市場的需求日益增長，國產MOSFET半導體廠家應運而生
知識專欄