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產品中心

POWER MASTER-SIC

SiC MOSFET

PCW120N40M1

POWERMASTER的PCW120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),專為滿足現代電力電子系統對高效率、高功率密度和優異熱性能的需求而設計。
SiC MOSFET
產品詳情

  產品名稱:PCW120N40M1

  分類:SIC mosfet

  產品簡介:

  POWERMASTER的PCW120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),專為滿足現代電力電子系統對高效率、高功率密度和優異熱性能的需求而設計。這款SiC MOSFET以其卓越的電氣特性,成為推動能源轉換技術向前發展的關鍵組件。

  產品亮點:

  1. 高壓性能:PCW120N40M1能夠承受高達1200V的電壓,為高壓電力應用提供了堅實的基礎。

  2. 高電流承載:具有40A的持續漏電流(ID),適合處理大功率負載。

  3. 低損耗:極低的導通電阻(RDS(on))確保了在導通狀態下的低功耗,有助于提高系統效率。

  4. 快速開關:SiC材料的固有優勢使得該MOSFET能夠實現快速開關,減少了開關過程中的能量損耗。

  5. 高溫操作:出色的熱穩定性使得PCW120N40M1能夠在高溫環境下穩定運行,適合苛刻的工作條件。

  應用場景:

  PCW120N40M1 SiC MOSFET適用于多種高性能電力電子應用,包括但不限于:

  - 高效能電源供應和轉換系統

  - 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的充電和動力系統

  - 工業電機驅動和變頻器

  - 高頻開關電源和DC-DC轉換器

  - 航空航天和軍事應用中的高可靠性電源系統

  技術參數:

  - 最大漏源電壓(VDS):1200V

  - 持續漏電流(ID):40A

  - 導通電阻(RDS(on)):極低

  - 總柵極電荷(Qg):優化值

  - 封裝類型:TO-247-3

  POWERMASTER的PCW120N40M1 SiC MOSFET以其高效的能源轉換能力、快速開關特性和卓越的熱性能,為高壓電力電子設備提供了理想的半導體解決方案。這款產品的出現,代表了SiC MOSFET技術在性能和可靠性方面的新標桿,為電力電子工程師提供了強大的工具,以實現更高效、更緊湊和更可靠的電力系統設計。