產品名稱:PCW120N40M1
產品簡介:
POWERMASTER的PCW120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),專為滿足現代電力電子系統對高效率、高功率密度和優異熱性能的需求而設計。這款SiC MOSFET以其卓越的電氣特性,成為推動能源轉換技術向前發展的關鍵組件。
產品亮點:
1. 高壓性能:PCW120N40M1能夠承受高達1200V的電壓,為高壓電力應用提供了堅實的基礎。
2. 高電流承載:具有40A的持續漏電流(ID),適合處理大功率負載。
3. 低損耗:極低的導通電阻(RDS(on))確保了在導通狀態下的低功耗,有助于提高系統效率。
4. 快速開關:SiC材料的固有優勢使得該MOSFET能夠實現快速開關,減少了開關過程中的能量損耗。
5. 高溫操作:出色的熱穩定性使得PCW120N40M1能夠在高溫環境下穩定運行,適合苛刻的工作條件。
應用場景:
PCW120N40M1 SiC MOSFET適用于多種高性能電力電子應用,包括但不限于:
- 高效能電源供應和轉換系統
- 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的充電和動力系統
- 工業電機驅動和變頻器
- 高頻開關電源和DC-DC轉換器
- 航空航天和軍事應用中的高可靠性電源系統
技術參數:
- 最大漏源電壓(VDS):1200V
- 持續漏電流(ID):40A
- 導通電阻(RDS(on)):極低
- 總柵極電荷(Qg):優化值
- 封裝類型:TO-247-3
POWERMASTER的PCW120N40M1 SiC MOSFET以其高效的能源轉換能力、快速開關特性和卓越的熱性能,為高壓電力電子設備提供了理想的半導體解決方案。這款產品的出現,代表了SiC MOSFET技術在性能和可靠性方面的新標桿,為電力電子工程師提供了強大的工具,以實現更高效、更緊湊和更可靠的電力系統設計。