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產品中心

SemiQ-MOD

Diode Module

GHXS045A120S-D3

GHXS045A120S-D3是SemiQ公司生產的一款高性能碳化硅(SiC)二極管模塊。這款模塊采用了尖端的SiC技術,旨在為電力電子應用提供卓越的性能和可靠性。
Diode Module
產品詳情

  產品名稱:GHXS045A120S-D3 

分類:SIC二極管模塊

  制造商:SemiQ

  產品簡介: GHXS045A120S-D3是SemiQ公司生產的一款高性能碳化硅(SiC)二極管模塊。這款模塊采用了尖端的SiC技術,旨在為電力電子應用提供卓越的性能和可靠性。SiC二極管因其低開關損耗、高工作溫度和優異的熱特性而受到青睞,非常適合用于要求嚴格的電力轉換和控制應用。

  核心優勢:

  高效能:SiC材料的高帶隙特性使得二極管能夠在更高的頻率下工作,從而減少能量損耗,提升系統整體效率。

  高溫操作:GHXS045A120S-D3能夠在高達175°C的結溫下穩定運行,適合在極端環境中使用。

  快速開關:SiC二極管的快速恢復特性使其能夠實現極快的開關速度,降低開關損耗。

  高電壓能力:該模塊具有1200V的反向電壓額定值,能夠處理高電壓應用。

  緊湊設計:模塊的緊湊尺寸便于集成到各種電力電子設備中。

  應用范圍: GHXS045A120S-D3 SiC二極管模塊適用于多種高效率和高功率密度的應用,包括但不限于:

  電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的充電和動力系統

  太陽能逆變器

  工業電機驅動

  不間斷電源(UPS)

  高頻電源轉換器

  關鍵參數:

  反向電壓(V_RRM):1200V

  正向電流(I_F):45A

  正向電壓(V_F):典型值(在特定電流下)

  反向恢復時間(t_rr):典型值(在特定條件下)

  結溫范圍(T_j):-55°C至175°C

  GHXS045A120S-D3 SiC二極管模塊是SemiQ公司為滿足現代電力電子系統對高性能、高可靠性和高效率的需求而設計的。其先進的技術和優越的性能使其成為各種高要求應用的理想選擇。