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與前代器件相比，這款先進(jìn)的MOSFET將導(dǎo)通電阻降低了48.2%，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了65.4%的電阻乘以柵極電荷的降低，這是用于電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的650V MOSFET的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)(FOM)。

晶閘管Sic的優(yōu)缺點(diǎn)詳解

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用日漸廣泛。尤其是碳化硅(SiC)材料的晶閘管(SCR)，因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為高效能電力控制的熱門選擇。

mosfet和三極管的區(qū)別有哪些？

　在現(xiàn)代電子技術(shù)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和三極管(晶體管)是兩種重要的半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景，了解它們的區(qū)別對(duì)于電子

IPM模塊的工作原理及其應(yīng)用解析

IPM，即集成功率模塊，是將多種功率電子器件(如功率晶體管、二極管、驅(qū)動(dòng)電路等)集成在一個(gè)模塊中的設(shè)備。其主要功能是控制和轉(zhuǎn)換電能，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)前景樂(lè)觀，2025年將迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)

據(jù)Gartner最新的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2025年的表現(xiàn)預(yù)計(jì)將優(yōu)于2024年，尤其是在下半年，這一趨勢(shì)將更加明顯。

IGBT單管并聯(lián)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)被廣泛應(yīng)用于各種高功率設(shè)備中。隨著科技的進(jìn)步，如何有效提升IGBT的性能，尤其是在大功率應(yīng)用中，成為了研究的熱點(diǎn)之一。

8位單片機(jī)的IO口解析及應(yīng)用

單片機(jī)的輸入輸出(IO)口是其核心功能之一，決定了它能與外部設(shè)備進(jìn)行交互的能力。本文將深入探討8位單片機(jī)的IO口數(shù)量、類型及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。

什么是碳化硅半導(dǎo)體工藝：未來(lái)電子產(chǎn)業(yè)的顛覆者

半導(dǎo)體材料在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著越來(lái)越重要的角色。其中，碳化硅(SiC)作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)越的性能而備受關(guān)注。本文將深入探討碳化硅半導(dǎo)體工藝的原理、優(yōu)勢(shì)以及在多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

歐洲議會(huì)呼吁推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持計(jì)劃，助力技術(shù)領(lǐng)域投資

近期歐洲議會(huì)的54名議員聯(lián)合致函歐盟執(zhí)行委員會(huì)，呼吁盡快啟動(dòng)新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持計(jì)劃，以填補(bǔ)人工智能芯片及其他技術(shù)領(lǐng)域的投資缺口。

觸摸芯片選型要求標(biāo)準(zhǔn)，選型指南

論是智能手機(jī)、平板電腦還是家用電器，觸摸芯片的選型直接影響到設(shè)備的性能和用戶的操作體驗(yàn)。本文將介紹觸摸芯片的選型要求標(biāo)準(zhǔn)，幫助制造商和開(kāi)發(fā)者選擇合適的觸摸芯片

探討IGBT驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)原理與應(yīng)用技巧

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)由于其高效能和高開(kāi)關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力變換等領(lǐng)域。為了有效控制IGBT的開(kāi)關(guān)特性

32位單片機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)合及其優(yōu)勢(shì)