Vishay Intertechnology, Inc. 發布了其在電源半導體技術方面的最新創新——第4.5代650V E系列電源mosfet。為了提高電信、工業和計算應用的效率和功率密度，Vishay Siliconix新推出的n-channel SiHK050N65E在性能上顯著優于其前代產品。與前代器件相比，這款先進的MOSFET將導通電阻降低了48.2%，同時實現了65.4%的電阻乘以柵極電荷的降低，這是用于電源轉換應用的650V MOSFET的一個關鍵性能指標(FOM)。

　　Vishay的全面MOSFET技術產品組合支持電源轉換過程的每一個階段，從高壓輸入到為先進設備供電所需的低壓輸出。通過SiHK050N65E和其他第4.5代650V E系列器件，公司正在滿足在電源系統架構早期階段對更高效率和功率密度的需求，特別是在功率因數校正(PFC)電路和后續的DC/DC轉換模塊中。主要應用領域包括服務器、邊緣計算系統和超級計算機，以及不間斷電源(UPS)、高強度放電(HID)燈、熒光燈鎮流器、通信開關模式電源(SMPS)、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱系統、電動驅動和電池充電器。

　　基于Vishay最先進的E系列超結技術，SiHK050N65E在10V下實現了典型的導通電阻僅為0.048Ω，因此在超過6kW的應用中具備更高的功率額定值。該器件還具有額外的50V擊穿電壓，使其能夠在200VAC到277VAC的輸入電壓范圍內運行，同時符合開放計算項目的開放機架V3(ORV3)標準。此外，該MOSFET還具備僅為78nC的超低柵極電荷，提供了優越的FOM值3.74Ω*nC，這是最小化導通和開關損耗的關鍵因素，從而提高效率并節約能源。這些特性使該器件能夠滿足服務器電源中的嚴格鈦效能標準，并在電源轉換系統中實現高達96%的峰值效率。

　　為了優化在硬開關拓撲(如PFC電路和雙開關前饋設計)中的開關性能，SiHK050N65E具備極低的有效輸出電容值——Co(er)為167pF，Co(tr)為1119pF。該MOSFET在電阻乘以Co(er)的FOM上達到創紀錄的低值8.0Ω*pF，最大限度地減少了開關損耗，進一步提升了系統效率。該器件封裝在PowerPAK? 10×12中，并采用Kelvin連接以減少柵極噪聲，同時提供了更好的dV/dt抗擾性，確保在苛刻的工作條件下的可靠性能。

　　符合RoHS標準且無鹵素的SiHK050N65E經過設計能夠承受雪崩模式下的過壓瞬態，100%的UIS測試保證了其耐用性和可靠性。這款最新的第4.5代650V E系列產品標志著在為下一代電源轉換應用提供高性能MOSFET解決方案方面邁出了重要一步。

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