英飛凌科技公司近日宣布擴展其OptiMOS? 7系列，推出專為工業和消費領域設計的新型mosfet。這一擴展旨在滿足各行業對電力密集型應用在密度、效率和長期可靠性方面日益增長的需求。分立功率MOSFET作為電力電子的基石技術，仍然在這一領域發揮著重要作用。

在新的產品系列中，英飛凌推出的OptiMOS? 7功率MOSFET特別針對高性能開關和馬達驅動系統進行了優化，關注于在各種應用中降低RDS(on)的需求。新系列不僅增強了在汽車市場的應用，還擴展到其他工業和消費市場，為不同應用提供量身定制的解決方案。

OptiMOS 7 25 V MOSFET的推出標志著英飛凌在設計理念上的轉變。這一系列的器件專門針對開關性能進行了優化，提供了多種變體，以滿足當前市場的多樣化需求。例如，這些MOSFET非常適合用于中間總線轉換器(IBC)，這些轉換器在48 V電源供電的人工智能處理器中廣泛應用。同時，這些器件也適用于電信基礎設施和傳統服務器平臺中的開關電源(SMPS)。

新系列的MOSFET提供兩種不同的技術選擇：一種優化用于硬開關場景，另一種則適合軟開關設計。硬開關MOSFET具有優越的米勒比率性能和改進的優越性指標(FOM)，而軟開關優化產品則提供超低的RDS(on)和卓越的FOMQg。與舊版OptiMOS? 5 25 V系列相比，新的OptiMOS 7系列在RDS(on)方面減少了多達20%，并在FOM方面實現了高達25%的改善。

同時，OptiMOS 7 40 V MOSFET則專為馬達驅動應用設計，提供降RDS(on)、優化的柵極性能、增強的噪聲免疫能力，并且其安全工作區(SOA)比前代器件寬三倍。由于其較低的跨導，這些器件能夠改善電流分布、抑制電壓超調，并在苛刻條件下保持良好的工作性能，非常適合于電動工具、馬達驅動和園藝設備等領域，這些應用對可靠性和效率有著嚴格要求。

新推出的25 V OptiMOS 7器件采用了源極向下的PQFN 3.3 x 3.3封裝，支持底面和雙面冷卻，具有中心柵極布局，便于實現高效的PCB設計。同時，40 V的馬達驅動優化版本則提供SuperSO8(5 x 6)和PQFN 3.3 x 3.3封裝，為設計人員提供多種解決方案，以應對不同的性能和熱管理需求。

通過這一系列產品的推出，英飛凌科技公司進一步鞏固了其在電力電子市場的領導地位，致力于為客戶提供高效、可靠的解決方案，以滿足不斷變化的市場需求。

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