ROHM和英飛凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)近日簽署了一項(xiàng)諒解備忘錄(MoU)，旨在共同開發(fā)和交叉互通硅碳化物(SIC)功率半導(dǎo)體的封裝方案。此次合作的目標(biāo)是滿足多種應(yīng)用需求，包括車載充電器、光伏發(fā)電系統(tǒng)、能源存儲設(shè)備以及人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

根據(jù)協(xié)議，ROHM和英飛凌計劃互為選定SiC功率器件封裝的第二來源。這一合作策略旨在為客戶提供更大的設(shè)計靈活性和采購安全性，同時也為客戶提供多樣化的采購選擇。通過這一方式，客戶能夠從ROHM和英飛凌兩家公司獲取兼容的設(shè)備，確保設(shè)備之間的互換性和無縫集成，以滿足市場上日益多樣化的需求。

在合作的具體安排上，ROHM將采用英飛凌的先進(jìn)頂部冷卻平臺，這一平臺適用于多種SiC封裝形式，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK雙和H-DPAK等。英飛凌的頂部冷卻設(shè)計帶來了多個顯著優(yōu)勢，特別是所有封裝的高度統(tǒng)一為2.3毫米。這樣的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計簡化了系統(tǒng)的整體設(shè)計，降低了冷卻成本，并提升了電路板空間的使用效率，使得功率密度可達(dá)傳統(tǒng)解決方案的兩倍。

與此同時，英飛凌也會將ROHM的專有DOT-247封裝與SiC半橋配置整合到其產(chǎn)品線中，這將進(jìn)一步擴(kuò)展英飛凌最近推出的雙TO-247 IGBT系列至基于SiC的半橋器件。ROHM的DOT-247封裝架構(gòu)能夠有效地將兩個TO-247外殼結(jié)合為一個，顯著提高了性能。與傳統(tǒng)TO-247封裝相比，DOT-247在熱阻上降低了約15%，在電感上減少了50%，功率密度提升了超過兩倍，達(dá)到約2.3倍的水平。此外，這種封裝設(shè)計還簡化了組裝工藝，促進(jìn)了更緊湊系統(tǒng)的設(shè)計。

展望未來，ROHM和英飛凌計劃進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍，涵蓋更多封裝形式，除了SiC之外，還包括硅和氮化鎵(GaN)功率技術(shù)。這一擴(kuò)展將有助于深化雙方的戰(zhàn)略合作關(guān)系，同時為客戶提供更多的互操作解決方案和采購?fù)緩剑瑵M足市場上日益增長的技術(shù)需求。

隨著SiC基半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展，其在高功率應(yīng)用中的性能已經(jīng)達(dá)到了新的標(biāo)桿。SiC技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更快速和更高效的電氣開關(guān)，適應(yīng)嚴(yán)酷的操作環(huán)境，并具備更緊湊的設(shè)計形式。依靠ROHM與英飛凌的SiC器件組合，客戶將能夠設(shè)計出更高能效的系統(tǒng)，推動電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源整合以及人工智能數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵應(yīng)用的發(fā)展。此次合作無疑將為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的動力，推動技術(shù)的創(chuàng)新與進(jìn)步。

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