東芝電子設(shè)備與存儲株式會社(“東芝”)推出了四款新的650V碳化硅(SIC)MOSFET，這些器件采用了其先進(jìn)的第三代SiC MOSFET芯片。這些器件采用緊湊的DFN8x8表面貼裝封裝，旨在滿足廣泛的工業(yè)設(shè)備需求，包括開關(guān)電源和光伏系統(tǒng)的電源調(diào)節(jié)器。新型號“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”的正式出貨從今天開始。

這些最新產(chǎn)品標(biāo)志著東芝首次在緊湊的DFN8x8封裝中采用第三代SiC MOSFET，相較于傳統(tǒng)的插針封裝(如TO-247和TO-247-4L(X))，其體積減少超過90%。這種顯著的縮小提高了最終設(shè)備的功率密度。此外，表面貼裝使得相較于插針封裝可以使用更小的寄生阻抗元件，從而有助于減少開關(guān)損耗。

DFN8x8是一個四腳封裝，支持信號源端的凱爾文連接，減少了內(nèi)部源線電感的影響。這使得開關(guān)速度更快。例如，與現(xiàn)有的東芝設(shè)備相比，TW054V65C的開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%，從而提高了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的整體功率效率。

目標(biāo)應(yīng)用：

用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和電信系統(tǒng)的開關(guān)電源

電動汽車(EV)充電基礎(chǔ)設(shè)施

光伏逆變器

不間斷電源(UPS)系統(tǒng)

主要特點(diǎn)：

DFN8x8表面貼裝封裝有助于緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并支持自動化組裝，具有低開關(guān)損耗

集成東芝的第三代SiC MOSFET技術(shù)

漂移電阻和通道電阻的優(yōu)化平衡提供了良好的溫度特性，降低了漏源的導(dǎo)通電阻

低漏源導(dǎo)通電阻和柵源電荷的乘積

低二極管正向電壓：在VGS = -5V時，VDSF = -1.35V(典型值)

　　浮思特科技專注功率器件領(lǐng)域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。