近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SIC MOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60 mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場景，包括車載充電器(OBC)、電動(dòng)車(EV)的牽引逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及供暖、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)。

　　新款SiC MOSFET采用了表面貼裝D2PAK-7封裝，相較于傳統(tǒng)的穿孔設(shè)備，這種封裝形式在自動(dòng)化裝配過程中具備更高的兼容性，能提升生產(chǎn)效率。這一系列器件的推出，旨在滿足汽車市場對高效能和高可靠性的迫切需求，特別是在電動(dòng)車和可再生能源相關(guān)應(yīng)用中。

　　在SiC MOSFET的性能中，RDS(on)參數(shù)是一個(gè)關(guān)鍵的性能指標(biāo)，它直接影響到導(dǎo)電損耗。然而，單純關(guān)注名義值并不全面，因?yàn)樵诠ぷ鳒囟壬叩那闆r下，RDS(on)的值可能會顯著上升，增加幅度通常超過100%，這將對導(dǎo)電效率造成重大影響。尤其是在使用表面貼裝設(shè)備(SMD)封裝的情況下，溫度穩(wěn)定性變得尤為重要，因?yàn)檫@類設(shè)備依賴于印刷電路板(PCB)進(jìn)行熱管理。

　　為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，Nexperia通過其先進(jìn)的工藝技術(shù)，開發(fā)出具有優(yōu)異溫度穩(wěn)定性的SiC MOSFET。新產(chǎn)品在25°C到175°C的廣泛工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)僅增加38%。這種卓越的穩(wěn)定性使得設(shè)計(jì)師能夠在不影響性能的條件下，使用Nexperia提供的更高25°C RDS(on)額定值，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。

　　此外，Nexperia在未來的發(fā)展規(guī)劃中，將進(jìn)一步擴(kuò)展其汽車級SiC MOSFET產(chǎn)品線，計(jì)劃于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)變體。這一擴(kuò)展將為下一代汽車動(dòng)力應(yīng)用提供更多選擇，推動(dòng)更高效的電力管理解決方案。

　　總體而言，Nexperia的新款汽車級SiC MOSFET通過在效率、熱穩(wěn)定性和兼容性方面的創(chuàng)新，為電動(dòng)車和其他汽車應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支持。隨著全球汽車市場向電氣化和智能化轉(zhuǎn)型，Nexperia將繼續(xù)致力于提供高性能的半導(dǎo)體解決方案，以滿足不斷增長的市場需求。

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