在電力電子技術日益發展的今天，固態電力配電系統正在逐步取代傳統的配電方式，以提供更高效、更可靠的解決方案。為了支持這一行業的進步，英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)近日宣布推出其全新的CoolSIC? JFET產品系列，進一步豐富了其碳化硅(SiC)產品組合。這些新型器件的推出，標志著固態保護和電力配電應用領域的一次重大技術突破。

CoolSiC JFET采用了先進的設計，旨在實現超低的導通損耗、強大的關斷性能和卓越的耐用性，使其成為高端應用的理想選擇。這些器件的優越特性，主要體現在它們的短路抗擾能力、在線性工作條件下的穩定熱行為和精確的過電壓處理能力。憑借這些特性，CoolSiC JFET能夠在工業和汽車等多個領域中提供可靠且高效的系統性能。

目標應用包括固態斷路器(SSCB)、人工智能數據中心中的熱插拔、電子保險絲(eFuses)、電機軟起動器、工業安全繼電器以及汽車電池斷開系統等。隨著電動汽車和可再生能源等新興市場的快速發展，對于高效能和高可靠性的電力電子器件的需求日益增加，而CoolSiC JFET的問世正是對此需求的積極回應。

CoolSiC JFET的第一代產品在導通電阻方面表現出色，750 V擊穿電壓(VBDSS)下的導通電阻僅為1.5 mΩ，1200 V下為2.3 mΩ，這一數值的降低顯著減少了導通損耗。該產品通過優化的散裝通道SiC結構，展現出在短路和雪崩條件下的高韌性，確保了其在各種復雜工作環境下的可靠性。

此外，CoolSiC JFET還采用了頂部冷卻的Q-DPAK封裝設計，這一設計不僅便于簡單并聯和可擴展的電流管理，還使其能夠構建緊湊、高密度的電源系統，滿足現代電子設備對小型化和高性能的要求。在熱應力、過載和故障等多種工作場景下，這些器件保持一致的開關特性，確保其在苛刻環境中的持續運行。

為了進一步提升產品的性能，CoolSiC JFET還采用了英飛凌的先進.XT互連技術，采用擴散焊接工藝，這一創新顯著提高了熱性能，降低了瞬態熱阻抗，并改善了在脈沖和循環負載下的耐用性。這些特點使得CoolSiC JFET在現代電力開關應用中具備了更強的適應能力和可靠性。

英飛凌預計在2025年末推出CoolSiC JFET系列的工程樣品，并計劃于2026年開始大規模量產。此外，公司還計劃推出更多封裝格式和模塊配置，以滿足日益多樣化的市場需求。CoolSiC JFET將在2025年的德國紐倫堡PCIM展會上亮相，屆時將為與會者提供更多關于這一創新產品的信息。

總的來說，英飛凌的CoolSiC JFET不僅為固態電力配電系統的未來發展提供了強有力的支持，也為相關產業的技術革新奠定了基礎。隨著這一系列產品的推出，市場對高效、可靠的電力解決方案的需求將得到更好的滿足。

浮思特科技專注功率器件領域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。