SemiQ公司近日發布了采用第三代碳化硅(SIC)技術的新型1200V SOT-227共封裝MOSFET模塊系列。這些新一代器件采用更小的芯片尺寸，可實現顯著提升的開關速度，同時降低導通與開關損耗，從而增強高性能電源應用的整體效率。

目前該系列堅固易安裝的模塊包含六款核心產品——GCMS008C120S1-E1、GCMX008C120S1-E1、GCMS016C120S1-E1、GCMX016C120S1-E1、GCMS040C120S1-E1和GCMX040C120S1-E1，其導通電阻(RDS(on))范圍覆蓋8.4mΩ至39mΩ。其中GCMX040C120S1-E1模塊實現了僅67納秒的驚人開關時間。此外，SemiQ還推出了兩款80mΩ導通電阻的模塊(GCMS080C120S1-E1和GCMX080C120S1-E1)，共同構成了面向嚴苛電力環境的完整產品家族。

這些共封裝MOSFET集成肖特基勢壘二極管，憑借極低的導通能量損耗，即使在高結溫條件下也能提供卓越的開關損耗性能。新模塊專為太陽能逆變器、儲能系統、電動汽車充電樁及高效服務器電源等應用場景設計。為確保可靠性，每款器件均經過嚴格的晶圓級柵極氧化物老化篩選和超過1400V的電壓測試，雪崩魯棒性評級最高達330mJ(RDS(on)=39mΩ)至800mJ(RDS(on)=16.5或8.4mΩ)。

在1200V漏源電壓(VDS)下工作時，該系列SiC MOSFET模塊將總開關損耗降至468μJ(以GCMX040C120S1-E1為例)，反向恢復電荷低至172nC。模塊采用高熱性能設計，具有較低的結殼熱阻，并通過4kVAC電氣隔離測試的隔離背板可直接安裝散熱器。

QSiC 1200V MOSFET系列支持-55°C至175°C的連續工作及存儲溫度范圍，柵源工作電壓優化為-4.5V至+18V(絕對最大額定值-8V至+22V)，功耗能力根據RDS(on)值和25°C熱條件在183W至536W之間。

電氣性能方面，模塊典型結殼熱阻為0.23°C/W(RDS(on)=8.4mΩ)，零柵壓漏電流僅100nA，柵源漏電流10nA。在開關速度最快的型號中，用戶可獲得13ns的開啟延遲時間、7ns的上升時間、18ns的關斷延遲以及29ns的下降時間——這些特性使其成為高速高效系統的理想選擇。

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