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SK海力士擬采用臺積電3nm工藝生產(chǎn)HBM4,推動高帶寬內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)

作者: 浮思特科技2025-04-18 14:39:04

  近日,國際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。這一創(chuàng)新為生成式人工智能(AI)、高性能計算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來了重要的技術(shù)升級。值得注意的是,SK海力士計劃采用臺積電的3nm工藝來生產(chǎn)HBM4,這標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的一次重要進步。

  HBM4相較于其前身HBM2E在多個方面進行了顯著的改進。首先,HBM4支持2048-bit的接口,這為其提供了高達8Gb/s的傳輸速度,使得其總帶寬可達到驚人的2TB/s。這種帶寬的提升,對于需要大量數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用場景,如深度學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)分析,能夠顯著提高處理效率,縮短計算時間。

Sk半導(dǎo)體

  除了帶寬的提升,HBM4還引入了定向刷新管理(DRFM)技術(shù),這一技術(shù)在保護內(nèi)存數(shù)據(jù)的可靠性上發(fā)揮了關(guān)鍵作用。DRFM技術(shù)增強了對row-hammer攻擊的防護能力,確保在高負載情況下,內(nèi)存的可靠性、可用性和可維護性(RAS)得以提升。這對于企業(yè)級應(yīng)用和云服務(wù)商而言,尤其重要,能夠有效降低數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)崩潰的風(fēng)險。

  根據(jù)行業(yè)分析,HBM4的開發(fā)得到了三星、美光和SK海力士等主要半導(dǎo)體制造商的支持,這顯示了業(yè)界對這一新標(biāo)準(zhǔn)的廣泛認可和期望。三星表示,將于2025年開始生產(chǎn)HBM4,以滿足日益增長的人工智能芯片制造商和云服務(wù)廠商的需求。這一計劃將進一步推動高帶寬內(nèi)存技術(shù)的普及,為各種先進應(yīng)用提供更強大的算力支持。

  值得一提的是,隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,對高性能計算的需求正在不斷上升。HBM4的推出恰逢其時,它不僅能夠為AI訓(xùn)練提供更高的帶寬和更低的延遲,還可以滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和實時分析的需求。行業(yè)專家普遍認為,HBM4的出現(xiàn)將推動整個計算領(lǐng)域的技術(shù)革新。

  此外,SK海力士選擇與臺積電合作,采用其3nm工藝進行HBM4的生產(chǎn),也反映了半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)合作的重要性。臺積電作為全球領(lǐng)先的芯片制造商,其先進的工藝技術(shù)無疑將為HBM4的性能提供強有力的保障。兩家公司在技術(shù)上的協(xié)作,將有助于縮短產(chǎn)品上市時間,提升市場競爭力。

  總體而言,HBM4的發(fā)布為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。隨著各大廠商的投入和技術(shù)進步,未來的高帶寬內(nèi)存市場將更加激烈。對于用戶而言,HBM4的出現(xiàn)將意味著更快、更高效的計算能力,能夠驅(qū)動各類創(chuàng)新應(yīng)用的發(fā)展,尤其是在人工智能和高性能計算領(lǐng)域。

浮思特科技專注功率器件領(lǐng)域,為客戶提供IGBTIPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片,是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。