SemiQ是一家領先的設計、開發和全球供應商，專注于高電壓、高效率應用的先進碳化硅(SIC)解決方案。該公司近日宣布推出新系列的1200 V SiC MOSFET六合一模塊。這些模塊旨在支持更加緊湊且具有成本效益的大規模系統設計，以應對各行業對高功率密度、節能解決方案日益增長的需求。

　　利用強大的平面技術，這些SiC MOSFET采用耐用的柵氧化物結構，并集成了可靠的體二極管以增強性能。每個模塊采用三相橋拓撲結構，配備分開的直流負極端子、壓配終端連接和Kelvin源連接，確保了穩定的電氣性能和高效的信號完整性。

　　這些高速開關模塊提供卓越的熱和電氣性能，其特點是低開關損耗和最低的結到殼體熱阻。每個單元經過嚴格測試，包括在超過1350 V的操作條件下和全面的100%晶圓級老化(WLBI)測試，以確保在苛刻操作條件下的可靠性和穩健性。

　　這些模塊針對廣泛的高性能應用，特別適用于交流/直流轉換器、儲能系統、電動汽車快充基礎設施、電池充電單元、電動機驅動器、功率因數校正升壓轉換器、感應加熱和焊接設備、可再生能源系統以及不間斷電源(UPS)。這些模塊設計為在高達175°C的結溫下運行，并支持直接安裝到散熱器上，便于在熱受限環境中的集成。

　　初始產品系列包括三種變體：20 mΩ(GCMX020A120B2T1P)、40 mΩ(GCMX040A120B2T1P)和80 mΩ(GCMX080A120B2T1P)，各自的功耗評級分別為263 W、160 W和103 W。每個變體能夠承載連續漏電流范圍為29 A至30 A*，脈沖漏電流最高可達70 A*。這些模塊還提供高效的開關性能，開通開關能量范圍為0.1 mJ至0.54 mJ*，關斷開關能量范圍為0.02 mJ至0.11 mJ*。開關時間，包括開通延遲、上升、關斷延遲和下降時間，范圍在56 ns至105 ns*之間。

　　這些模塊立即可用，封裝尺寸為62.8 mm × 33.8 mm × 15 mm，內置集成安裝特性，便于快速連接散熱器。

浮思特科技專注功率器件領域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。