近日，全球領先的半導體及無源元件制造商Vishay Intertechnology宣布，其旗下Vishay Semiconductors業務部門成功推出16款新型的第三代1,200V碳化硅(SIC)肖特基二極管。這些新推出的器件采用了獨特的合并PIN肖特基(MPS)設計，為開關電源系統提供了更高的效率和可靠性。

　　新款SiC二極管憑借MPS設計，將高浪涌電流耐受性與低正向電壓降、電容充電和反向漏電流等性能優勢相結合，為行業樹立了新的標準。這些二極管提供從5A到40A的廣泛電流選擇，并采用多種封裝形式，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L穿孔式封裝以及D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝，以滿足不同應用場景的需求。

　　據Vishay Intertechnology介紹，新款SiC二極管具有低至28nC的電容充電能力，其MPS結構通過激光退火技術薄化背面，實現了1.35V的低正向電壓降。這一突破性的設計不僅提高了能源效率，還有助于降低系統散熱需求，從而延長了設備的使用壽命。

　　此外，這些二極管在25°C時展現出低至2.5μA的反向漏電流，有助于最小化傳導損耗，并確保在輕載和空閑條件下系統仍能保持最佳效率。與市面上其他高速開關二極管相比，第三代SiC二極管幾乎不產生殘留電荷，進一步提升了整體系統的效率。

　　這些先進的SiC二極管已被廣泛應用于多種領域，包括交流/直流功率因數校正(PFC)、直流/直流轉換器、太陽能逆變器、能量存儲系統、工業驅動和數據中心等。這些應用場景對電源系統的效率和可靠性提出了極高的要求，而Vishay Intertechnology的新產品正是為了滿足這些需求而設計的。

　　新款SiC二極管設計精良，能夠承受惡劣的工作環境，工作溫度范圍可達+175°C，并具備高達260A的正向浪涌額定值。此外，D2PAK 2L封裝中的二極管還采用了高比較跟蹤指數(CTI)至少為600的模塑化合物，確保了在高電壓下仍能保持出色的電氣絕緣性能。

　　隨著全球對清潔能源和高效能源利用的需求不斷增長，Vishay Intertechnology的第三代SiC肖特基二極管無疑將為電源系統帶來更高的性能和更長的使用壽命。這一創新技術的推出，再次證明了Vishay Intertechnology在半導體技術領域的領先地位和持續創新的能力。

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