由于人工智能(AI)處理器的電力需求不斷增長，服務器電源供應(PSU)需要在符合服務器機架規格的尺寸內提供更多的電力。高性能GPU的能源需求增加是這一趨勢的主要驅動力。預計到本世紀末，每個芯片的能耗可能達到2千瓦或更多。

為了應對應用需求和獨特客戶要求的不斷提升，英飛凌科技股份公司決定將SIC mosfet的開發擴展到650V以下的電壓范圍。該公司目前正在推出基于今年早些時候發布的第二代(G2)CoolSiC技術的新款CoolSiC? 400V MOSFET家族。

　　英飛凌專門為AI服務器的AC/DC階段創建了一個新的MOSFET產品組合，這一產品組合補充了英飛凌最近公布的PSU路線圖。這些器件非常適用于太陽能和能源存儲系統(ESS)、逆變器電機控制、工業和輔助電源供應(SMPS)以及住宅建筑的固態斷路器。

　　與當前的650V SiC和Si MOSFET相比，新款家族顯著降低了導通和開關損耗。AI服務器PSU的AC/DC階段采用多級PFC，可以實現100 W/in3的功率密度，并已證明可以達到99.5%的效率。與使用650V SiC MOSFET的解決方案相比，該方案的效率提高了0.3個百分點。此外，在DC/DC階段整合CoolGaN?晶體管，完成了AI服務器PSU的系統解決方案。通過利用高性能MOSFET和晶體管的組合，電源供應能夠提供超過8 kW的電力，與現有系統相比，功率密度提高了三倍以上。

　　更新后的MOSFET系列包括總計10款產品。涵蓋了五種不同的RDS(on)等級，范圍從11到45毫歐。MOSFET采用Kelvin-source TOLL和D2PAK-7封裝，并配有.XT封裝連接技術。在T vj = 25°C下，400V的漏源擊穿電壓使這些組件非常適合用于2級和3級轉換器以及同步整流器。組件在復雜的開關情況下表現出卓越的耐久性，并經過徹底的雪崩測試以確保其可靠性。

　　先進且耐用的CoolSiC技術以及.XT連接技術使這些器件能夠處理AI處理器電力需求突變所產生的意外電力增加和波動。連接技術和低且正的RDS(on)溫度系數在結溫升高的情況下提供了卓越的性能。