近日，瑞薩電子公司以價值約 3.39 億美元的全現金交易收購了寬帶隙氮化鎵 (GaN) 半導體技術開發領域的領導者 Transphorm, Inc.。此次收購將使瑞薩能夠在內部為快速增長的電動汽車 (EV)、數據中心、工業電力和可再生能源市場開發高電壓、功率密集的 GaN 解決方案。

　　作為將“人工智能無處不在”戰略擴展到汽車市場計劃的一部分，英特爾將收購 Silicon Mobility SAS。Silicon Mobility 總部位于法國瓦爾邦訥，是一家初創(B 輪)無晶圓廠半導體和軟件公司，開發片上系統 (SoC) 解決方案，以高效管理混合動力和電動汽車中的電動機、電池和能源管理系統。

　　擴展瑞薩電子寬禁帶產品組合

　　就在去年，瑞薩電子通過投資內部碳化硅 (SiC) 生產線進入寬帶隙(WBG) 器件市場，并與 Wolfspeed 簽訂了長期 SiC 晶圓供應協議。

　　收購 Transphorm 將補充該公司最近的 SiC 投資，從而能夠與 SiC 一起開發 GaN 器件。此次擴張意味著瑞薩電子可以提供更全面的寬帶隙產品組合。

　　SiC 和 GaN 器件正在共同改變電力電子行業，使電路能夠在越來越高的電壓、頻率和功率密度下運行。雖然 SiC 和 GaN 經常正面競爭，但它們確實為設計組合帶來了不同的功能。SiC 通常在要求最高電壓的應用中表現更好，而功率密度最高的應用通常依賴 GaN 的極高開關速度。

　　Transphorm 的 SuperGaN FET 技術采用專有的共源共柵器件架構來提高性能并使 GaN 器件更易于使用。瑞薩電子首席執行官柴田秀俊 (Hidetoshi Shibata) 表示，收購 Transphorm 將使該公司能夠鞏固其在高壓 IGBT 和 SiC 領域的發展勢頭，擴大其整體電源產品組合，從而成為增長引擎。

　　軟件定義車輛

　　英特爾收購 Silicon Mobility 是其更大計劃的一部分，該計劃旨在將最新的人工智能 (AI) 技術集成到其軟件定義車輛 (SDV) 解決方案中。

　　據英特爾介紹，現代汽車包含超過一英里的內部銅纜，連接 100 多個單獨的電子控制單元(ECU)，每個電子控制單元都有特定的用途。SDV 的概念是使用更少的通用處理器(硬件)并配置軟件來管理車輛內的多種功能。結果是一個性能更好、更具成本效益的系統。

　　在收購 Silicon Mobility 的同時，英特爾還推出了一系列內部開發的 SoC，專為 GenAI 和基于攝像頭的駕駛員/乘客監控等車載人工智能應用而設計。汽車 OEM Zeekr 將成為首批在其車輛平臺中采用新技術的公司之一。

　　就Silicon Mobility而言，他們將其OLEA APP逆變器和FPCU解決方案推廣為可配置的現成硬件/軟件解決方案，能夠控制任何類型的電動機，包括永磁體和非永磁體、軸向和徑向、同步和異步，以及許多階段。

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