在新能源汽車領域，理想汽車與意法半導體(ST)達成了一項重要的碳化硅(SIC)長期供應協議。理想汽車，作為國內高端電動汽車設計、研發、制造及銷售的佼佼者，正通過與意法半導體的合作，加速其在高壓純電動汽車(BEV)市場的步伐。

　　隨著全球汽車行業向電動化轉型，減少碳足跡成為行業共識，高壓電池電動汽車(BEV)因其出色的能源效率和續航能力而受到青睞。理想汽車，以增程式電動汽車(EREV)技術著稱，現正積極拓展純電動汽車(BEV)領域，并計劃在2023年第四季度推出其旗艦MPV BEV車型。

　　為提升電動汽車性能，理想汽車將在牽引逆變器中大量采用SiC mosfet，這與其未來推出更多高壓純電動汽車車型的戰略相契合。

　　意法半導體的碳化硅(SiC)器件以其高開關頻率、擊穿電壓和熱阻特性，顯著提升了性能和效率。在應對純電動汽車所需的高工作電壓時，這些特性尤為關鍵。

　　理想汽車選擇在其未來800V BEV平臺的牽引逆變器中應用意法半導體最先進的第三代1,200V SiC MOSFET，旨在確保工藝的穩定性、性能、效率和可靠性，從而鞏固其在行業中的領導地位。

　　意法半導體的SiC技術在全球市場中占據顯著優勢，其SiC MOSFET市場份額超過50%，并因其卓越的性能獲得了眾多領先汽車制造商的認可。該技術廣泛應用于車載充電器和電源模塊，是推動電動汽車技術進步的強大動力。

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