當我們談論反激電路時，注意力往往集中在mosfet導通的那一刻。但事實上，MOSFET的關斷，才是整個反激電路能量傳遞和電壓變換的真正起點與核心。理解這一刻發生的故事，是徹底讀懂反激拓撲的關鍵。

一、 導通與關斷：一場默契的“能量接力賽”

首先，我們簡單回顧一下反激電路的基本工作流程：

MOSFET導通時：初級繞組通電，電流線性上升，電能以磁場能的形式“儲存”在變壓器(更準確地說是耦合電感)中。此時，由于次級繞組極性相反，輸出二極管處于反向偏置而截止，負載由輸出電容供電。此時，能量只存不放。

MOSFET關斷時：這才是戲劇性轉變的開始。一旦MOSFET關斷，初級回路被切斷。根據楞次定律，變壓器所有繞組的感應電動勢會立即反向。這個動作，如同按下了一個能量釋放的開關。

二、 MOSFET關斷時的三大核心作用

那么，在關斷的瞬間，MOSFET究竟扮演了哪些關鍵角色呢?

1. 觸發能量傳遞，實現“能量搬運”

這是最根本的作用。關斷行為本身，切斷了初級繞組的電流通路，迫使儲存在變壓器中的磁場能無法維持，必須尋找新的釋放路徑。此時，次級繞組的感應電動勢變為“上正下負”，輸出二極管正向偏置而導通。磁場能通過次級繞組和二極管，向輸出電容和負載釋放，轉化為電能。可以說，沒有MOSFET的“關”，就沒有能量的“放”。

2. 塑造電路工作模式(DCM與CCM)

MOSFET關斷的時機和持續時間，直接決定了電路工作在連續導通模式(CCM)還是斷續導通模式(DCM)。

在DCM下：MOSFET會在次級繞組電流下降到零之后才再次導通。這意味著在關斷期間，所有儲存的能量都被完全釋放。

在CCM下：MOSFET在次級電流尚未降至零時便再次導通。這意味著關斷時間不足以釋放全部能量，變壓器中始終存在“殘留”能量。

設計者通過控制MOSFET的關斷時間(即占空比)，可以靈活地選擇工作模式，以在效率、體積和成本之間取得最佳平衡。

3. 承受電壓應力，保障系統安全

關斷瞬間，由于變壓器漏感的存在，會產生遠高于輸入電壓的尖峰電壓(Vpk)。這個電壓與輸入電壓(Vin)、反射電壓(Vor)一起疊加在MOSFET的漏極上，形成巨大的電壓應力：Vds = Vin + Vor + Vpk。

因此，MOSFET在關斷時必須能夠承受這個高壓。為了保護MOSFET，通常需要設計RCD鉗位電路或其它吸收電路，來消耗漏感能量，抑制電壓尖峰。MOSFET的關斷過程，是其承受最嚴酷電氣應力的時刻，也是電路可靠性設計的重中之重。

三、 總結：從“開關”到“核心調度”

總而言之，反激電路中的MOSFET，絕不是一個簡單的開關。其關斷動作，是一個承上啟下的核心節點：

它標志著儲能階段的結束和釋能階段的開始。

它通過關斷時長，定義了電路的工作模式。

它自身承受著最高的電壓應力，是系統安全的生命線。

因此，深入理解MOSFET關斷時的作用，不僅是讀懂反激電路的鑰匙，更是進行高效、可靠電源設計的基石。下一次當你分析反激電路時，請多關注那個“沉默”的關斷期，那里正上演著能量傳遞最精彩的戲碼。

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