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SemiHow-IGBT
HIA100N65T-SA是SemiHow公司推出的一款高性能IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件，專為滿足現代電力電子系統對高功率和高效率的嚴格要求。這款IGBT器件以其出色的電氣性能和可靠性。
關鍵特性：
高電壓承受能力：HIA100N65T-SA的額定電壓為650V
強大的電流處理能力：該器件的最大連續集電極電流高達100A
低導通損耗：通過優化設計，實現了低導通電阻，從而顯著降低了功率損耗，提升了整體能效。
高效的開關性能：快速的開關速度減少了開關過程中的能量損失，提高了系統的動態響應和效率。
主要參數：
集電極-發射極電壓(V_CES)：650V
集電極連續電流(I_C)：100A
集電極峰值電流(I_CP)：根據應用條件而定
柵極-發射極電壓(V_GES)：±20V
HIA100N65T-SA是一款專為高要求電力電子應用設計的高性能IGBT器件，它不僅提供了卓越的性能和效率，還確保了系統的穩定性和可靠性，是電力電子工程師在設計高效率和高可靠性系統時的首選器件。
