HIA75N65HA-SA是SemiHow公司推出的一款高性能IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件,專為滿足現代電力電子系統對高功率和高效率的嚴格要求。這款IGBT器件以其出色的電氣性能和可靠性,在工業和消費電子領域中占據了一席之地。
關鍵特性:
高電壓承受能力:HIA75N65HA-SA的額定電壓為650V,使其能夠在高電壓條件下穩定工作,保障系統的安全運行。
強大的電流處理能力:該器件的最大連續集電極電流高達75A,能夠有效應對高功率應用的需求。
低導通損耗:通過優化設計,實現了低導通電阻,從而顯著降低了功率損耗,提升了整體能效。
高效的開關性能:快速的開關速度減少了開關過程中的能量損失,提高了系統的動態響應和效率。
主要參數:
集電極-發射極電壓(V_CES):650V
集電極連續電流(I_C):75A
集電極峰值電流(I_CP):根據應用條件而定
柵極-發射極電壓(V_GES):±20V
開關時間(t_on/t_off):典型值,根據具體應用和測試條件而定
熱阻(R_th(j-c)):典型值,根據封裝和散熱條件而定
HIA75N65HA-SA是一款專為高要求電力電子應用設計的高性能IGBT器件,它不僅提供了卓越的性能和效率,還確保了系統的穩定性和可靠性,是電力電子工程師在設計高效率和高可靠性系統時的首選器件。