浮思特科技
產品中心
SemiHow-IGBT
HIA50N65H-JA是SemiHow公司生產的一款高效IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件，專為高功率應用設計。這款IGBT器件結合了高電壓能力和高電流處理能力，適用于多種電力電子系統。
主要特性：
高電壓能力：額定電壓650V，適合高壓應用。
大電流容量：最大連續集電極電流50A，處理高功率負載。
低導通電阻：減少功率損耗，提高效率。
快速開關速度：優化開關特性，減少開關損耗。
關鍵參數：
集電極-發射極電壓(V_CES)：650V
集電極連續電流(I_C)：50A
門極-發射極電壓(V_GE)：±20V
集電極-發射極飽和電壓(V_CE(sat))：典型值1.7V(在I_C=25A，V_GE=15V時)
應用場景：
電機驅動：提供精確的速度和扭矩控制。
電源轉換：適用于UPS和電源供應器，確保高效能的電源轉換。
可再生能源系統：如太陽能逆變器，提高能量轉換效率。
封裝和兼容性：
采用標準封裝，易于集成和熱管理。
HIA50N65H-JA是一款適用于多種高要求電力電子應用的IGBT器件，提供卓越的性能和效率。
