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SemiHow-GaNFET

GaN FET

HPFL90G320N

HPFL90G320N是SemiHow公司推出的一款高性能GaN FET(氮化鎵場效應晶體管)產品,具有卓越的電氣性能和可靠性,廣泛應用于高效電源管理、高頻開關電源、光伏發電等領域。
GaN FET
產品詳情

  HPFL90G320N是SemiHow公司推出的一款高性能GaN FET(氮化鎵場效應晶體管)產品,具有卓越的電氣性能和可靠性,廣泛應用于高效電源管理、高頻開關電源、光伏發電等領域。以下是該產品的詳細介紹:

  HPFL90G320N GaN FET采用先進的氮化鎵材料,相較于傳統的硅基FET,具有更高的開關頻率、更低的導通電阻和更快的切換速度,從而實現了更高的功率密度和效率。以下是該產品的主要特點:

  高效率:HPFL90G320N具備極低的導通電阻,可降低開關損耗,提高系統的整體效率。在開關頻率較高時,其優勢尤為明顯。

  高頻率:GaN材料的優異性能使得HPFL90G320N能夠在更高的頻率下工作,從而減小磁性元件的體積,降低系統成本。

  快速切換:HPFL90G320N的切換速度非常快,有利于減小開關過程中的能量損耗,提高系統性能。

  小型化:HPFL90G320N采用小型封裝設計,節省空間,便于系統集成。

  高可靠性:SemiHow公司采用先進的封裝工藝,確保HPFL90G320N在惡劣環境下仍具有出色的可靠性和穩定性。

  以下是HPFL90G320N的主要參數:

  最大電壓:320V

  最大電流:90A

  導通電阻:22mΩ(典型值)

  開關頻率:2MHz

  封裝:DFN5x6

  HPFL90G320N GaN FET廣泛應用于以下場景:

  高頻開關電源:如AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等。

  光伏發電:用于提高光伏發電系統的效率,降低系統成本。

  電機驅動:適用于伺服電機、步進電機等驅動器。

  電池管理系統:用于電動汽車、儲能系統等場合,提高能量轉換效率。

  總之,HPFL90G320N GaN FET作為一款高性能的產品,具有廣泛的應用前景,有助于推動電子設備的高效、小型化發展。