HPFL120G085N 是一款由SemiHow旗下研發的高性能氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)，專為高效能電源轉換和電力電子應用而設計。憑借其卓越的開關速度和低導通電阻，HPFL120G085N 成為現代電源管理和高頻應用中的理想選擇。

　　主要特性

　　高效率：氮化鎵材料的優越特性使得 HPFL120G085N 在開關頻率和效率方面表現出色，能夠有效降低能量損耗。

　　低導通電阻 (Rds(on))：該產品具有極低的導通電阻，減少了功率損耗，并提高了系統的熱管理效率。

　　高頻操作：HPFL120G085N 支持高達 1MHz 的開關頻率，使其適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器等應用場景。

　　優異的熱性能：設計上優化了熱管理，支持更高的工作溫度和散熱效率，提升了整體系統的可靠性。

　　緊湊封裝：采用緊湊的封裝形式，便于集成到空間受限的應用中，提高設計靈活性。

　　應用領域

　　HPFL120G085N 適用于廣泛的應用，包括但不限于：

　　開關電源(SMPS)

　　電動汽車充電器

　　太陽能逆變器

　　無線充電器

　　高頻電源轉換器

　　規格參數

　　柵極電壓 (Vgs): ±20V

　　漏極電壓 (Vds): 120V

　　持續漏極電流 (Id): 85A

　　導通電阻 (Rds(on)): 30 m? (典型值)

　　開關頻率: 可達 1MHz

　　結論

　　HPFL120G085N 以其高效率、低損耗和卓越的性能，成為高頻開關電源和電力電子領域的理想選擇。無論是在工業應用，還是在消費電子產品中，該GaN FET都能提供可靠的性能表現，助力創新設計和高效能解決方案。