HPA120C080R,來自SemiHow品牌的創(chuàng)新之作,是一款采用先進碳化硅(SIC)技術(shù)的mosfet器件。它專為高電壓、高效率應(yīng)用設(shè)計,能夠承受高達1200V的漏源電壓,確保在極端條件下穩(wěn)定運行。
此款MOSFET憑借碳化硅材料的卓越性能,實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)速度的完美結(jié)合,有效降低了導(dǎo)通與開關(guān)損耗,提升了整體系統(tǒng)效率。同時,其耐高溫特性確保了在高熱環(huán)境下的穩(wěn)定運行,延長了使用壽命。
HPA120C080R適用于多種高功率應(yīng)用場景,包括新能源汽車、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及工業(yè)電源等,為這些領(lǐng)域提供了高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案。其緊湊的封裝設(shè)計便于系統(tǒng)集成,助力實現(xiàn)更緊湊、更高效的電力電子系統(tǒng)。
HPA120C080R SiC MOSFET以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為SemiHow品牌在電力電子行業(yè)的一顆璀璨明珠。