產品概述: HPJ65C045R是SemiHow公司生產的碳化硅(SiC)MOSFET,專為高電壓、高功率應用設計。該器件采用SiC材料,具備卓越的電氣性能。
主要特性:
高擊穿電壓:6500V,滿足高壓應用需求。
低導通電阻:1.6mΩ max.,降低導通損耗,提升效率。
高開關頻率:適用于高頻應用,提高系統性能。
良好的熱性能:負溫度系數,保證高溫環境下的穩定運行。
小型封裝:TO-247-4L,提高電路集成度。
應用領域:
電動汽車逆變器
太陽能光伏逆變器
不間斷電源
工業驅動器
高頻變壓器
總結:HPJ65C045R憑借其高性能和可靠性,是電力電子領域理想的選擇。