HPAF65C105R 是 SemiHow 推出的一款先進(jìn)碳化硅 (SIC) mosfet，專為高效能和高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品利用 SiC 材料的優(yōu)越特性，提供卓越的性能和能效。

　　主要特點(diǎn)

　　高擊穿電壓：最大漏源電壓可達(dá) 650V，適用于高壓應(yīng)用。

　　低導(dǎo)通電阻：具備極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，顯著降低導(dǎo)通損耗。

　　高溫穩(wěn)定性：在 -55°C 至 175°C 的廣泛溫度范圍內(nèi)依然保持穩(wěn)定性能。

　　快速開關(guān)速度：支持高頻操作，適用于高頻電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

　　技術(shù)規(guī)格

　　最大漏源電壓 (VDS): 650V

　　最大漏極電流 (ID): 32A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on)): 0.035Ω

　　應(yīng)用領(lǐng)域

　　HPAF65C105R 廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車 (EV) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、工業(yè)電源和開關(guān)電源等領(lǐng)域。

　　優(yōu)勢(shì)

　　提升能效：低損耗和高開關(guān)速度顯著提升系統(tǒng)能效。

　　緊湊設(shè)計(jì)：高效能使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊，減小整體體積和重量。

　　增強(qiáng)可靠性：高溫穩(wěn)定性延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命，提升可靠性。

　　HPAF65C105R 憑借其高性能和可靠性，成為高效電力電子應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息，請(qǐng)直接聯(lián)系我們。