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產(chǎn)品中心

SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPA65C026R

HPA65C026R是SemiHow品牌推出的一款創(chuàng)新型碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)
SiC MOSFET
產(chǎn)品詳情

  產(chǎn)品名稱:HPA65C026R

  品牌:SemiHow

  產(chǎn)品類型:SIC mosfet

  產(chǎn)品概述:

  HPA65C026R是SemiHow品牌推出的一款創(chuàng)新型碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這款產(chǎn)品以其卓越的性能和可靠性,專為滿足電力電子領(lǐng)域?qū)Ω咝芎透吖β拭芏鹊男枨蠖O(shè)計(jì)。SiC MOSFET因其出色的熱性能、高電壓操作能力和低損耗特性,在現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色。

  主要特性:

  - 高耐壓能力:HPA65C026R具備650V的耐壓等級(jí),使其能夠應(yīng)對(duì)高電壓電力轉(zhuǎn)換的挑戰(zhàn)。

  - 低導(dǎo)通電阻:該SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻,有效降低了導(dǎo)通損耗,提升了系統(tǒng)的能效。

  - 高頻開關(guān)性能:適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,減少了開關(guān)過程中的能量損耗,提高了電源轉(zhuǎn)換的效率。

  - 高溫操作能力:得益于SiC材料的固有優(yōu)勢(shì),HPA65C026R在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能,適用于高溫工作環(huán)境。

  - 高可靠性設(shè)計(jì):經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試和驗(yàn)證,確保了產(chǎn)品在各種工作條件下的可靠性和耐用性。

  應(yīng)用場(chǎng)景:

  HPA65C026R SiC MOSFET適用于多種高效率、高功率密度的應(yīng)用,包括但不限于:

  - 電動(dòng)汽車(EV)的充電基礎(chǔ)設(shè)施和動(dòng)力系統(tǒng)

  - 可再生能源系統(tǒng)中的光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)

  - 工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

  - 高效能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU)

  總結(jié):

  HPA65C026R SiC MOSFET憑借其高效能、高耐壓和高溫穩(wěn)定性,成為電力電子工程師在設(shè)計(jì)高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)的優(yōu)選。SemiHow品牌致力于提供創(chuàng)新和可靠的半導(dǎo)體解決方案,HPA65C026R正是這一承諾的體現(xiàn),為電力電子行業(yè)的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。