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產品中心

POWER MASTER-SIC

PCZ120N21M1

POWERMASTER的PCZ120N21M1是一款尖端的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),它代表了電力電子領域的一項重大進步,特別是在需要高效率、高功率密度和優異熱管理的應用中。這款SiC MOSFET以其卓越的電氣性能和耐用性,成為推動現代電力系統向更高性能邁進的關鍵組件。
產品詳情

  產品名稱:PCZ120N21M1 SIC mosfet

  產品概述:

  POWERMASTER的PCZ120N21M1是一款尖端的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),它代表了電力電子領域的一項重大進步,特別是在需要高效率、高功率密度和優異熱管理的應用中。這款SiC MOSFET以其卓越的電氣性能和耐用性,成為推動現代電力系統向更高性能邁進的關鍵組件。

  產品特點:

  1. 高壓操作能力:PCZ120N21M1能夠承受高達1200V的電壓,適用于各種高壓電力轉換場景。

  2. 低導通損耗:具有極低的導通電阻(RDS(on)),顯著降低了導通時的功率損耗,提高了整體系統效率。

  3. 高速開關:SiC材料的固有特性使得該MOSFET能夠實現快速開關,減少了開關過程中的能量損失。

  4. 高溫運行:具備出色的熱穩定性,能夠在高溫環境下保持穩定的性能,適合極端工作條件。

  5. 緊湊設計:PCZ120N21M1的封裝設計緊湊,有助于實現更小尺寸的電力電子設備。

  應用領域:

  PCZ120N21M1 SiC MOSFET適用于多種高要求的電力電子應用,包括:

  - 高效能電源供應和轉換系統

  - 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的充電和動力系統

  - 工業電機驅動和變頻器

  - 高頻開關電源和DC-DC轉換器

  - 航空航天應用中的高可靠性電源系統

  技術規格:

  - 最大漏源電壓(VDS):1200V

  - 持續漏電流(ID):21A

  - 導通電阻(RDS(on)):極低

  - 總柵極電荷(Qg):優化值

  - 封裝類型:TO-247-3

  POWERMASTER的PCZ120N21M1 SiC MOSFET是電力電子工程師在追求更高效率、更小體積和更強熱性能時的理想選擇。其先進的技術和卓越的性能,使其成為推動電力轉換技術革新的關鍵組件,為各種高要求的應用提供了可靠的解決方案。